干擾電壓的大小不但與共模瞬態(tài)干擾的電流大小有關(guān)
發(fā)布時(shí)間:2017/6/6 21:06:06 訪問次數(shù):847
共模干擾電流流過地阻抗zllv日寸,zOⅤ的兩端就會(huì)產(chǎn)生壓降σcM≈zOvfc對(duì)。該壓降對(duì)于集成電路IC2來說相當(dāng)于在ICI傳遞給它的電壓信號(hào)σs上又疊加了一個(gè)干擾信號(hào)σcM,這樣IC2實(shí)際上接受到的信號(hào)為〃s+σcM,這就是干擾。L4006L556F干擾電壓的大小不但與共模瞬態(tài)干擾的電流大小有關(guān),還與地阻抗zOv的大小有關(guān)。當(dāng)干擾電流一定的情況F,干擾電壓σcM的大小由zOv決定。也就是說,PCB中的地線或地平面阻抗與電路的瞬態(tài)抗千擾能力有直接影響。例如,一個(gè)完整(無過孔、無裂縫)的地平面,在100MHz的頻率時(shí),只有3.7mΩ的阻抗c即使有100A的瞬態(tài)電流流過3.7mΩ的阻抗,也只會(huì)產(chǎn)生0.37Ⅴ的壓降,這對(duì)于3.3Ⅴ的TΓI'電平的電路來說,是可以承受的,因?yàn)?.3Ⅴ的TTL電平總是要在08Ⅴ以上的電壓下才會(huì)發(fā)生邏輯轉(zhuǎn)換,這已經(jīng)是具有相當(dāng)?shù)目垢蓴_能力了。又如,流過電快速瞬變脈沖群干擾的地平面存在1cm的裂縫,那么這個(gè)裂縫將會(huì)有1nH的電感,這樣當(dāng)由100A的電快速瞬變脈沖群共模電流流過時(shí),產(chǎn)生的壓降:
⒛Ⅴ的壓降對(duì)3,3Ⅴ電平的T⒒電路來說是非常危險(xiǎn)的,可見PCB中地阻抗對(duì)抗干擾能力的重要性。實(shí)踐證明對(duì)于3.3Ⅴ的T兒電平邏輯電路來說,共模干擾電流在地平面上的壓降小于04Ⅴ將是安全的;如果大于2.0Ⅴ將是危險(xiǎn)的。對(duì)于2.5Ⅴ的T⒒電平邏輯電路,這些電壓將會(huì)更低一點(diǎn)(0.2Ⅴ和1.7Ⅴ),從這個(gè)意識(shí)上,3.3ⅤT幾電平的電路比2.5Ⅴ電平的T⒒電路具有更高的抗千擾能力G對(duì)于差分傳輸信號(hào),當(dāng)共模電流JcⅥ流過地平面時(shí),必然會(huì)在地平面的阻抗z。Ⅴ兩端產(chǎn)生壓降,當(dāng)共模電流JcM一定時(shí),地平面阻抗越大,壓降越大。像單端信號(hào)被干擾的原理一樣,這個(gè)壓降猶如施加在差分線的一根信號(hào)線與參考地之間,即圖1.39中所示的σcMl、r/cM2、σc叩、σcⅥ。由于差分線對(duì)的一根線與參考地之間的阻抗zl、z2,接收器與發(fā)送器的輸人/輸出阻抗zsl、zs2,總是不一樣的(由于寄生參考的影響,實(shí)際布線中不可能做到兩根差分線對(duì)的對(duì)地阻抗一樣),從而造成σcMl、σcw、σcM3、%吧值也不相等,差異部分即轉(zhuǎn)化為差模干擾電壓σd誑,對(duì)差分信號(hào)電路產(chǎn)生干擾c可見,對(duì)于差分電路來說,地平面的阻抗也同樣重要,同時(shí)PCB布線時(shí),保證差分線對(duì)的各種寄生參數(shù)平衡一致也很重要。
共模干擾電流流過地阻抗zllv日寸,zOⅤ的兩端就會(huì)產(chǎn)生壓降σcM≈zOvfc對(duì)。該壓降對(duì)于集成電路IC2來說相當(dāng)于在ICI傳遞給它的電壓信號(hào)σs上又疊加了一個(gè)干擾信號(hào)σcM,這樣IC2實(shí)際上接受到的信號(hào)為〃s+σcM,這就是干擾。L4006L556F干擾電壓的大小不但與共模瞬態(tài)干擾的電流大小有關(guān),還與地阻抗zOv的大小有關(guān)。當(dāng)干擾電流一定的情況F,干擾電壓σcM的大小由zOv決定。也就是說,PCB中的地線或地平面阻抗與電路的瞬態(tài)抗千擾能力有直接影響。例如,一個(gè)完整(無過孔、無裂縫)的地平面,在100MHz的頻率時(shí),只有3.7mΩ的阻抗c即使有100A的瞬態(tài)電流流過3.7mΩ的阻抗,也只會(huì)產(chǎn)生0.37Ⅴ的壓降,這對(duì)于3.3Ⅴ的TΓI'電平的電路來說,是可以承受的,因?yàn)?.3Ⅴ的TTL電平總是要在08Ⅴ以上的電壓下才會(huì)發(fā)生邏輯轉(zhuǎn)換,這已經(jīng)是具有相當(dāng)?shù)目垢蓴_能力了。又如,流過電快速瞬變脈沖群干擾的地平面存在1cm的裂縫,那么這個(gè)裂縫將會(huì)有1nH的電感,這樣當(dāng)由100A的電快速瞬變脈沖群共模電流流過時(shí),產(chǎn)生的壓降:
⒛Ⅴ的壓降對(duì)3,3Ⅴ電平的T⒒電路來說是非常危險(xiǎn)的,可見PCB中地阻抗對(duì)抗干擾能力的重要性。實(shí)踐證明對(duì)于3.3Ⅴ的T兒電平邏輯電路來說,共模干擾電流在地平面上的壓降小于04Ⅴ將是安全的;如果大于2.0Ⅴ將是危險(xiǎn)的。對(duì)于2.5Ⅴ的T⒒電平邏輯電路,這些電壓將會(huì)更低一點(diǎn)(0.2Ⅴ和1.7Ⅴ),從這個(gè)意識(shí)上,3.3ⅤT幾電平的電路比2.5Ⅴ電平的T⒒電路具有更高的抗千擾能力G對(duì)于差分傳輸信號(hào),當(dāng)共模電流JcⅥ流過地平面時(shí),必然會(huì)在地平面的阻抗z。Ⅴ兩端產(chǎn)生壓降,當(dāng)共模電流JcM一定時(shí),地平面阻抗越大,壓降越大。像單端信號(hào)被干擾的原理一樣,這個(gè)壓降猶如施加在差分線的一根信號(hào)線與參考地之間,即圖1.39中所示的σcMl、r/cM2、σc叩、σcⅥ。由于差分線對(duì)的一根線與參考地之間的阻抗zl、z2,接收器與發(fā)送器的輸人/輸出阻抗zsl、zs2,總是不一樣的(由于寄生參考的影響,實(shí)際布線中不可能做到兩根差分線對(duì)的對(duì)地阻抗一樣),從而造成σcMl、σcw、σcM3、%吧值也不相等,差異部分即轉(zhuǎn)化為差模干擾電壓σd誑,對(duì)差分信號(hào)電路產(chǎn)生干擾c可見,對(duì)于差分電路來說,地平面的阻抗也同樣重要,同時(shí)PCB布線時(shí),保證差分線對(duì)的各種寄生參數(shù)平衡一致也很重要。
熱門點(diǎn)擊
- 硼擴(kuò)散為什么采用兩步擴(kuò)散工藝
- 硅單晶電阻率與摻雜
- 氧化層固定電荷
- 懸浮區(qū)熔法
- 直拉法
- 雜質(zhì)對(duì)硅電學(xué)性質(zhì)的影響
- 風(fēng)云一號(hào)(FY-1)衛(wèi)星
- 硅晶體中位錯(cuò)示意圖
- 風(fēng)云二號(hào)(FY-2)衛(wèi)星
- 外延是一種生長晶體薄膜的I藝技術(shù)
推薦技術(shù)資料
- 按鈕與燈的互動(dòng)實(shí)例
- 現(xiàn)在趕快去看看這個(gè)目錄卞有什么。FGA15N120AN... [詳細(xì)]
- F28P65x C2000 實(shí)時(shí)微控制器
- ARM Cortex-M33 內(nèi)核̴
- 氮化鎵二極管和晶體管̴
- Richtek RT5716設(shè)
- 新一代旗艦芯片麒麟9020應(yīng)用
- 新品WTOLC-4X50H32
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究