差模傳導(dǎo)性抗擾度測(cè)試實(shí)質(zhì)
發(fā)布時(shí)間:2017/6/6 21:10:43 訪問(wèn)次數(shù):709
在EMC的相關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)中,L4006L6低頻的傳導(dǎo)性抗擾度測(cè)試通常以差模為主,如國(guó)軍標(biāo)⑶B152A中規(guī)定的CS101、CS1∝測(cè)試,E∝1000-4-5標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的線對(duì)線浪涌測(cè)試,以及E07637-2標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的對(duì)于那些不直接安裝的車架上的產(chǎn)品(外殼不接參考地產(chǎn)品)所進(jìn)行的P1、”a、”b、M、P~sa、P5b脈沖的抗擾度測(cè)試。
差模傳導(dǎo)性抗擾度測(cè)試原理非常簡(jiǎn)單,測(cè)試時(shí),差模干擾電壓直接疊加在正常I作電路上,然后觀察電路工作是否正常。由于單一的差模傳導(dǎo)性抗擾度測(cè)試通常都是低頻的測(cè)試,而且都是針對(duì)瞬態(tài)干擾的抗擾度測(cè)試,這樣傳遞干擾路徑的分析也比較容易,岡為較小的寄生參數(shù)不會(huì)對(duì)低頻信號(hào)傳輸產(chǎn)生較大的影響。
在EMC的相關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)中,L4006L6低頻的傳導(dǎo)性抗擾度測(cè)試通常以差模為主,如國(guó)軍標(biāo)⑶B152A中規(guī)定的CS101、CS1∝測(cè)試,E∝1000-4-5標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的線對(duì)線浪涌測(cè)試,以及E07637-2標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的對(duì)于那些不直接安裝的車架上的產(chǎn)品(外殼不接參考地產(chǎn)品)所進(jìn)行的P1、”a、”b、M、P~sa、P5b脈沖的抗擾度測(cè)試。
差模傳導(dǎo)性抗擾度測(cè)試原理非常簡(jiǎn)單,測(cè)試時(shí),差模干擾電壓直接疊加在正常I作電路上,然后觀察電路工作是否正常。由于單一的差模傳導(dǎo)性抗擾度測(cè)試通常都是低頻的測(cè)試,而且都是針對(duì)瞬態(tài)干擾的抗擾度測(cè)試,這樣傳遞干擾路徑的分析也比較容易,岡為較小的寄生參數(shù)不會(huì)對(duì)低頻信號(hào)傳輸產(chǎn)生較大的影響。
熱門點(diǎn)擊
- 臺(tái)階覆蓋特性
- 以直拉法拉制摻硼硅錠,切割后獲硅片,
- 離子注入射程R、投影射程RP及工維分布
- 移相掩膜技術(shù)
- 偏壓濺射
- CⅤD多晶硅薄膜工藝
- 通?梢杂门R界角吼來(lái)描述發(fā)生溝道效應(yīng)的界限
- 微電子工業(yè)是飛速發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)
- 反應(yīng)劑濃度對(duì)生長(zhǎng)速率的影響
- 高密度等離子體技術(shù)也應(yīng)用到氮化硅薄膜制各中
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究