改變屏蔽電纜屏蔽層與金屬連接器的連接方式
發(fā)布時間:2017/6/16 20:39:49 訪問次數:445
【處理措施】
(1)改變屏蔽電纜屏蔽層與金屬連接器的連接方式,取消原來的Plgtail,實現(xiàn)360°搭接。M27C4001-10F1
(2)為接口芯片的電源引腳增加1000pF的電源去耦電容,并在PCB布局上靠近電源引腳放置。
【思考與啟示】
(1)屏蔽電纜的屏蔽層與連接器的連接很重要,一定要保證冗0°搭接。
(2)電源去耦電容的選擇要考慮被去耦器件的工作頻率及其產生的諧波,不要什么器件都用0.1uF的電容,一般器件的工作主頻⒛MHz以下的建議用0.1uF的去耦電容,⒛MHz以上的器件用0.01uF的去耦電容,也可以嘗試采用大小并聯(lián)電容的組合去耦方式,如0.1uF電容與1000pF的電容并聯(lián),以取得較寬頻帶的去耦效果,但是還是要注意大小電容容值相差100倍以上。
(3)電源去耦對降低電源阻抗、降低電源噪聲和地噪聲有很大的幫助,由此對輻射騷擾抑制也有很大的幫助,特別是接口電路電源去耦,因為接口電路附近的電纜就是輻射的天線。
(4)對于浮地設各,電源的去耦、電源和地的完整性對EMC來說顯得更加重要。
【處理措施】
(1)改變屏蔽電纜屏蔽層與金屬連接器的連接方式,取消原來的Plgtail,實現(xiàn)360°搭接。M27C4001-10F1
(2)為接口芯片的電源引腳增加1000pF的電源去耦電容,并在PCB布局上靠近電源引腳放置。
【思考與啟示】
(1)屏蔽電纜的屏蔽層與連接器的連接很重要,一定要保證冗0°搭接。
(2)電源去耦電容的選擇要考慮被去耦器件的工作頻率及其產生的諧波,不要什么器件都用0.1uF的電容,一般器件的工作主頻⒛MHz以下的建議用0.1uF的去耦電容,⒛MHz以上的器件用0.01uF的去耦電容,也可以嘗試采用大小并聯(lián)電容的組合去耦方式,如0.1uF電容與1000pF的電容并聯(lián),以取得較寬頻帶的去耦效果,但是還是要注意大小電容容值相差100倍以上。
(3)電源去耦對降低電源阻抗、降低電源噪聲和地噪聲有很大的幫助,由此對輻射騷擾抑制也有很大的幫助,特別是接口電路電源去耦,因為接口電路附近的電纜就是輻射的天線。
(4)對于浮地設各,電源的去耦、電源和地的完整性對EMC來說顯得更加重要。
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