以上是根據(jù)理論進(jìn)行的分析,將采用以下方法進(jìn)行驗(yàn)證:
發(fā)布時(shí)間:2017/6/19 20:01:41 訪問(wèn)次數(shù):687
以上是根據(jù)理論進(jìn)行的分析,將采用以下方法進(jìn)行驗(yàn)證:
(1)取下濾波器,拿到機(jī)殼外(遠(yuǎn)離開(kāi)關(guān)電源),放在參考接地平板上,以便很好地接地, H1102NLT則可以通過(guò)傳導(dǎo)騷擾的測(cè)試,且裕量較大。測(cè)試結(jié)果如圖4.⒛所示。
(2)在開(kāi)關(guān)電源與電源濾波器的上下空間中用導(dǎo)電銅箔進(jìn)行隔離后再進(jìn)行測(cè)試,結(jié)果如 圖4.25所示。
可見(jiàn),濾波器與電源之間距離過(guò)近,而且沒(méi)有很好的隔離是導(dǎo)致傳導(dǎo)騷擾測(cè)試超標(biāo)的原因。
另外還有一種濾波器失效的情況,雖然在本案例中沒(méi)有出現(xiàn),但是也是工程應(yīng)用中常見(jiàn)的問(wèn)題,即與如圖4。%所示的原理一樣。當(dāng)存在接地阻抗時(shí)(如濾波器通過(guò)連接一條長(zhǎng)導(dǎo)線或長(zhǎng)而窄的印制線接地時(shí)),高頻噪聲會(huì)經(jīng)這條阻抗路徑通過(guò)濾波器,使濾波器失效。所以,濾波器應(yīng)該通過(guò)低阻抗的點(diǎn)或面連接到地層。高頻濾波器的引線應(yīng)該盡可能地短,濾波器中的電容最好也采用低寄生電感的陶瓷電容。
以上是根據(jù)理論進(jìn)行的分析,將采用以下方法進(jìn)行驗(yàn)證:
(1)取下濾波器,拿到機(jī)殼外(遠(yuǎn)離開(kāi)關(guān)電源),放在參考接地平板上,以便很好地接地, H1102NLT則可以通過(guò)傳導(dǎo)騷擾的測(cè)試,且裕量較大。測(cè)試結(jié)果如圖4.⒛所示。
(2)在開(kāi)關(guān)電源與電源濾波器的上下空間中用導(dǎo)電銅箔進(jìn)行隔離后再進(jìn)行測(cè)試,結(jié)果如 圖4.25所示。
可見(jiàn),濾波器與電源之間距離過(guò)近,而且沒(méi)有很好的隔離是導(dǎo)致傳導(dǎo)騷擾測(cè)試超標(biāo)的原因。
另外還有一種濾波器失效的情況,雖然在本案例中沒(méi)有出現(xiàn),但是也是工程應(yīng)用中常見(jiàn)的問(wèn)題,即與如圖4。%所示的原理一樣。當(dāng)存在接地阻抗時(shí)(如濾波器通過(guò)連接一條長(zhǎng)導(dǎo)線或長(zhǎng)而窄的印制線接地時(shí)),高頻噪聲會(huì)經(jīng)這條阻抗路徑通過(guò)濾波器,使濾波器失效。所以,濾波器應(yīng)該通過(guò)低阻抗的點(diǎn)或面連接到地層。高頻濾波器的引線應(yīng)該盡可能地短,濾波器中的電容最好也采用低寄生電感的陶瓷電容。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- PCB工作地與金屬外殼直接相連是否會(huì)導(dǎo)致ES
- 刻蝕選擇比
- W金屬的干法刻蝕使用的氣體
- 塑料外殼連接器與金屬外殼連接器對(duì)ESD的影響
- 光標(biāo)測(cè)量的功能按鍵
- 射頻濺射
- 離子注入機(jī)分為如下類別
- 磁珠和電容的正確位置和連接關(guān)系
- 磁控濺射
- 用電感和電阻的并聯(lián)能更好地解釋鐵氧體磁珠
推薦技術(shù)資料
- 滑雪繞樁機(jī)器人
- 本例是一款非常有趣,同時(shí)又有一定調(diào)試難度的玩法。EDE2116AB... [詳細(xì)]
- F28P65x C2000 實(shí)時(shí)微控制器
- ARM Cortex-M33 內(nèi)核̴
- 氮化鎵二極管和晶體管̴
- Richtek RT5716設(shè)
- 新一代旗艦芯片麒麟9020應(yīng)用
- 新品WTOLC-4X50H32
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究