圓形或矩形封裝

   (1)引線與不應(yīng)接觸的外殼或外引線相碰,或它們H1102NLT之間距離小于0.“mm(用于只y平面)。

    (2)內(nèi)引線下垂部分低于芯片鍵合點(diǎn)項(xiàng)部所在的假想平面(僅X平面)。有設(shè)計(jì)要求的除外。

    (3)引線接觸或跨接其他引線或鍵合點(diǎn)(僅y平面)。

    (4)內(nèi)引線偏離由鍵合點(diǎn)到外引線之間的直線,表現(xiàn)出與其他內(nèi)引線或鍵合點(diǎn)接觸,或其間距離小于0.ωmm(僅適于y平面)。

    (5)鍵合點(diǎn)與另外鍵合點(diǎn)之間的距離小于0。凼5mm(不包括由公共導(dǎo)體連接的鍵合點(diǎn))。

   拒收:與封蓋閘距小于50um

   拒收:引線下垂

   拒收:與另一個(gè)鍵+H距小

   于一個(gè)內(nèi)引線直徑

   拒收:跨越或接

   觸為一個(gè)鍵合點(diǎn)的引線

   拒收:與另一個(gè)引線交叉拒叫攵:松弛引線與乃ˉ引線桕距在引線直徑 拒收:外引線彎曲超過10° 外引線彎曲超過10°

    圖⒋24 圓形或矩形封裝器件的間隙

    (6)從芯片鍵合點(diǎn)到封裝外引線鍵合區(qū)之間的內(nèi)引線為直線狀,沒有孤度。按設(shè)計(jì)要求的例外(例如,線夾或固定式的連接引線)。

   (7)內(nèi)引線柱與垂直方向或預(yù)定的設(shè)計(jì)位置的偏離大于10°,或者在長度和結(jié)構(gòu)上不均勻,或者與另外引線柱之間的距離小于一個(gè)引線柱的直徑。

   (8)在采用To型較低外殼時(shí),引線柱與外殼頂部的距離不到外殼內(nèi)部底座與頂之間總尺寸的20%。在具有半導(dǎo)體芯片與底座相垂直的器件中,半導(dǎo)體芯片離底座或外殼任一部分的距離不到0,∞mm。

   (9)在外殼底座設(shè)計(jì)中,未考慮采用底座邊緣或其他結(jié)構(gòu)(如阻擋環(huán)),以防止低溫焊或熔焊濺沫進(jìn)入殼內(nèi)。