去耦電容的另一個(gè)作用是提供局部的能量存儲(chǔ)源,可以減小電源供電的輻射路徑。電路M25P16-VME6G中RF能量的產(chǎn)生是和rAr成正比的,這里J是回路的電流,⒕是回路的面積,/是電流的頻率。因?yàn)殡娏骱皖l率在選擇邏輯器件時(shí)已確定,要想減小輻射,減小電流的回路面積變得非

常重要。在有去耦電容的電路中,電流在小RF電流回路中流動(dòng),從而減小RF能量。通過(guò)仔細(xì)放置去耦電容可以得到很小的回路面積。

   在圖5.1中,Δσ是LdJ/山在地線(xiàn)上誘發(fā)的噪聲,它在去耦電容中流動(dòng)。這個(gè)Δ〃驅(qū)動(dòng)著板上的地結(jié)構(gòu)和分配系統(tǒng)中的共模電壓流向全板。因此減小Δσ與地阻抗有關(guān),也與去耦電容有關(guān)。

   去耦也是克服物理的和時(shí)序的約束的一種方法,它是通過(guò)在信號(hào)線(xiàn)和電源平面間提供一個(gè)低阻抗的電源來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在頻率升高到自諧振點(diǎn)之前,隨著頻率的提高,去耦電容的阻抗會(huì)越來(lái)越低,這樣,高頻噪聲會(huì)有效地從信號(hào)線(xiàn)上泄放,這時(shí)余下的低頻射頻能量就沒(méi)有什么影響了。

   根據(jù)去耦電容的工作原理,如果增加從電源線(xiàn)吸收能量的難度,就會(huì)使大部分能量從去耦電容中獲得,充分發(fā)揮去耦電容的作用,同時(shí)電源線(xiàn)上也將產(chǎn)生更小的dJ/dr噪聲。根據(jù)這一思路,可以人為增加電源線(xiàn)上的阻抗。串聯(lián)鐵氧體磁珠是一種常用的方法,由于鐵氧體

磁珠對(duì)高頻電流呈現(xiàn)較大的阻抗,因此增強(qiáng)了電源去耦電容的效果。

   旁路:把不必要的共模RF能量從元件或線(xiàn)纜中泄放掉。它的實(shí)質(zhì)是產(chǎn)生一個(gè)交流支路來(lái)把不希望的能量從易受影響的區(qū)域泄放掉。另外,它還提供濾波功能(帶寬限制),有時(shí)也籠統(tǒng)地稱(chēng)為濾波。

   旁路通常發(fā)生在電源與地之間、信號(hào)與地之間或不同的地之間,它與去耦的實(shí)質(zhì)有所不同,但是對(duì)于電容的使用方法來(lái)說(shuō)是一樣的,所以以下所描述的有關(guān)電容的特眭均適用于旁路。儲(chǔ)能:當(dāng)所用的信號(hào)腳在最大容量負(fù)載下同時(shí)開(kāi)關(guān)時(shí),用來(lái)保持提供給器件的恒定的直流電壓和電流。它還能阻止由于元件的dj/dJ電流浪涌而引起的電源跌落。如果說(shuō)去耦是高頻的范疇,那么儲(chǔ)能可以理解為是低頻范疇。要理解去耦與旁路,5.1.2~5.1.5節(jié)的部分內(nèi)容,非常有必要了解。