不但模擬電路區(qū)域的遠端存在模擬電路工作地與參考接地板或金屬外殼互連(直接連接或通過電容連接),TAS5534DGGR而且數(shù)字電路的低電位側(圖6.弘中的zl左側)的數(shù)字電路工作地與參考接地板或金屬外殼也存在互連(直接連接或通過電容連接),如圖6.86所示。在這種情況下將產(chǎn)生更大的數(shù)�；旌细蓴_:

   圖6.85模擬電路工作地與參考接地板或金屬外殼互連原理示意圖

   模擬電路區(qū)域存在I/0電纜,I/0電纜與參考接地板或金屬外殼之間形成較低的阻抗(如150Ω),如圖6,87所示。第四種,不但模擬電路區(qū)域存在I/0電纜,I/0電纜與參考接地板或金屬外殼之間形成

較低的阻抗(如150Ω),而且數(shù)字電路區(qū)域也存在I/o電纜或存在數(shù)字電路的低電位側的數(shù)字電路工作地與參考接地板或金屬外殼也存在互連(直接連接或通過電容連接),如圖6.88所示。