光學(xué)鄰近效應(yīng)是指在光刻過程中,由于掩膜上相鄰微細(xì)圖形的衍射光相互干涉而造成像面光強分布發(fā)生改變,使曝光得到的圖形偏離掩膜設(shè)計所要求的尺寸和形狀,如圖10△5所示是光學(xué)鄰近效應(yīng)的示意圖。SCDS74T-270M-N這些畸變將對集成電路的電學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生較大的影響。光刻圖形的特征尺寸越接近于投影光學(xué)光刻系統(tǒng)的極限分辨率,鄰近效應(yīng)就 越明顯。

   光學(xué)鄰近效應(yīng)校正技術(shù),是在掩膜設(shè)計時采用將圖形預(yù)先畸變的方法對光學(xué)鄰近效應(yīng)加以校正,使光刻后能得到符合設(shè)計要求的電路圖形。如圖1016所示為采用線條偏置法校正光學(xué)鄰近效應(yīng)的掩膜圖形。不同的圖形結(jié)構(gòu)有不同的校正方法。到目前為止,已經(jīng)有一些標(biāo)準(zhǔn)的光學(xué)鄰近效應(yīng)校正結(jié)構(gòu)用于集成電路掩膜圖形的設(shè)計制作中,用以提高光刻分辨率,從而增加硅片表面電路設(shè)計的密度,滿足芯片集成度不斷提高和特征尺寸不斷縮小的需求。