光學鄰近效應是指在光刻過程中,由于掩膜上相鄰微細圖形的衍射光相互干涉而造成像面光強分布發(fā)生改變,使曝光得到的圖形偏離掩膜設計所要求的尺寸和形狀,如圖10△5所示是光學鄰近效應的示意圖。SCDS74T-270M-N這些畸變將對集成電路的電學性質產生較大的影響。光刻圖形的特征尺寸越接近于投影光學光刻系統(tǒng)的極限分辨率,鄰近效應就 越明顯。

   光學鄰近效應校正技術,是在掩膜設計時采用將圖形預先畸變的方法對光學鄰近效應加以校正,使光刻后能得到符合設計要求的電路圖形。如圖1016所示為采用線條偏置法校正光學鄰近效應的掩膜圖形。不同的圖形結構有不同的校正方法。到目前為止,已經有一些標準的光學鄰近效應校正結構用于集成電路掩膜圖形的設計制作中,用以提高光刻分辨率,從而增加硅片表面電路設計的密度,滿足芯片集成度不斷提高和特征尺寸不斷縮小的需求。