對于早期器件的刻蝕工藝,一般來說要求刻蝕深度均勻、選擇比好、掩膜能完M95256-WDW6TP全傳遞和側(cè)壁的陡直度好。隨著新型器件的不斷出現(xiàn),對于刻蝕工藝也提出了越來越多的要求,形貌方面比如圓包刻蝕、梯形刻蝕、角刻蝕等;槽的狀態(tài)方面要求大的深寬比、V形槽,保證深度的情況下要求低損傷等,要想達(dá)到各種要求,除了需要我們對影響刻蝕工藝的因素有足夠的了解之外,還需要對光刻I藝和掩膜條件有相當(dāng)理解。

   理想的刻蝕工藝必須具有以下特點:

   ①各向異性刻蝕,即只有垂直刻蝕,沒有橫向鉆蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復(fù)制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形;

   ②良好的刻蝕選擇性,即對作為掩膜的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多,以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性,不致因為過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料;

   ③加工批量大,控制容易,成本低,對環(huán)境污染少,適用于t業(yè)生產(chǎn)。

廣義而畝,刻蝕技術(shù)包含了所有將材質(zhì)表面均勻移除或是有選擇性地部分去除的技術(shù),可大體分為濕法刻蝕(Wet Etcl△illg)和干法刻蝕(Dry Etcllillg)兩種方法。早期刻蝕技術(shù)是采用濕法刻蝕的方法,也就是利用合適的化學(xué)溶液,先使未被光刻膠覆蓋部分的被刻蝕材料分解和轉(zhuǎn)變?yōu)榭扇苡诖巳芤旱幕衔锒_(dá)到去除的目的。這種刻蝕技術(shù)的進(jìn)行主要是利用溶液和被刻蝕材料之間跗化學(xué)反應(yīng),因此可以通過化學(xué)溶液的選取、配比和溫度的控制,得到合適的刻蝕速率以及被刻蝕材料與光刻膠及下層材質(zhì)之間的良好的刻蝕選擇比。然而,由于化學(xué)反應(yīng)沒有方向性,濕法刻蝕會有側(cè)向刻蝕而產(chǎn)生鉆蝕現(xiàn)象,當(dāng)集成電路中的器件尺寸越來越小時,鉆蝕現(xiàn)象也越來越嚴(yán)重并導(dǎo)致圖形線寬失真c因此,濕法刻蝕逐漸被干法刻蝕技術(shù)取代。

   所謂的干法刻蝕,通常指的就是利用輝光放電(αow Disclla吧e)的方式,產(chǎn)生帶電離子以及具有高度化學(xué)活性的中性原子和自由基的等離子體,這些粒子和被刻蝕薄膜進(jìn)行反應(yīng)以將光刻圖形轉(zhuǎn)移到晶片上的技術(shù)。