單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì),有較弱的導(dǎo)電性,其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加,有顯 OB2252MP著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體,基本上不導(dǎo)電。在硅晶體中摻人微量的ⅤA族雜質(zhì)原子(如磷、砷、銻等),可形成N型半導(dǎo)體,電子(帶負(fù)電)是其導(dǎo)電的主要載流子。這是囚為這些雜質(zhì)原子和硅原子形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)時(shí),其外圍五個(gè)電子中的四個(gè)會(huì)留下一個(gè)電子不受共價(jià)鍵束縛而成為自由電子,于是N型半導(dǎo)體就成為了含電子濃度較高的半導(dǎo)體,其導(dǎo)電性主要是因?yàn)樽杂呻娮訉?dǎo)電,如圖1,1所示。

   在硅晶體中摻入微量的ⅢA族雜質(zhì)原子(如硼、銦等),將形成P型半導(dǎo)體,空穴(帶正電)是其導(dǎo)電的主要載流子。這些雜質(zhì)原子和硅原子形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)時(shí),其外圍只有三個(gè)電子,比硅原子少了一個(gè)電子而留下了一個(gè)空缺,即空穴。當(dāng)空穴被其他鄰近的電子補(bǔ)上時(shí),那補(bǔ)位的電子原先的位置便又留下了一個(gè)新的空穴,這個(gè)空穴的轉(zhuǎn)移可視為正電荷的運(yùn)動(dòng),成為能夠?qū)щ姷妮d流子(見圖1.2)。

   N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是所有半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。摻雜的雜質(zhì)濃度越高,半導(dǎo)體導(dǎo)電性越好,電阻率越低。