(其中在柵電極和勢壘層之間插人了一高慮柵極介質層Tsi()x)

從某種意義上講,目前htel公司所謂的量子阱場效應晶體管(QW FET)也是一種無結場效應晶體管。鑒于高遷移率CMOS技術的重大應用前景,采用高遷移率Ⅱ⒈V族半導體材料替代應變硅溝道實現高性能CMOS的研究已經發(fā)展成為近期微電子領域的研究重點。

   近年來,ITRS也將高遷移率∏IV族化合物材料列為新一代高性能CMC)S器件的溝道解決方案之一。PCF8563T據Intel公司的預計及某半導體分析師的推斷,htel公司有很大可能會在其10nm或7nm CMOS技術節(jié)點啟用量子阱晶體管結構,采用銦鎵砷(In。33GaO17As)作為N型器件二維電子氣溝道材料,采用鍺作為二維空穴氣P型溝道材料。該公司已經在硅晶圓襯底上制造出了一個原型器件,證明新技術可以與現有硅制造工藝相融合。圖1.⒛給出Intel公司研究量子阱場效應晶體管的技術演進圖[55Ⅱl]。

   為進一步提高量子阱場效應晶體管的性能,加強器件柵控能力、增強驅動電流以及提高器件集成密度,我們提出了一種圓柱體全包圍柵量子阱場效應晶體管,其器件結構如圖1.21所示Ⅰ62Ⅰ。假設InGaAs半導體納米線的直徑為D,寬禁帶InP半導體控制層厚度為,可以通過電荷控制模型以及逐級溝道近似得到圓柱體全包圍柵量子阱場效應晶體管的⒈V關系。參考標準平面HEMT器件分析結果,溝道載流子濃度可以表示為[63]