為滿足10nm及以下技術節(jié)點對提高載流子速度和最大化驅動電流的要求,同時最大限度地減少漏電流和功耗,溝道材料具各載流子從源端注人、PCF8563T/5以彈道或準彈道輸運方式遷移至漏端似乎是必要的。無結場效應晶體管與傳統(tǒng)反型模式MOS晶體管或其他結型晶體管相比有以下幾大優(yōu)點:①它們與常規(guī)CMOS工藝兼容、易于制作;②它們沒有源漏PN結;③短溝道效應大為減弱;④由于避開了半導體/柵絕緣層粗糙界面對載流子的散射,載流子受到界面散射影響有限,遷移率不會降低;⑤由于避開了粗糙表面對載流子的散射,器件具備優(yōu)異的抗噪聲能力;⑥它們放寬了對降低柵極介電層厚度的嚴格要求;⑦無結場效應晶體管屬于多數(shù)載流子導電器件,靠近漏極的電場強度比常規(guī)反型溝道的MOS晶體管要來得低,因此,器件的性能及可靠性得以大大提高。取代硅作為候選溝道材料(包括鍺硅、鍺、III V族化合物半導體、碳納米管、石墨烯以及MoS2等)的二維材料正在積極的探索與研究當中,甚至真空溝道也在考慮之列。這一全新領域有望突破摩爾定律的藩籬,徹底改變微電子學的面貌。新興的后CMOS器件需要物理上或功能上集成在一個CMOS平臺上。這種集成要求將這些異質半導體或其他高遷移率溝道材料在硅襯底上進行外延生長或能夠被完整地轉移至硅襯底上,而這極富挑戰(zhàn)性,需要集成電路器件工藝與材料學家、I程師們的緊密合作,克服一切困難,共同迎接新的挑戰(zhàn)。