DRAM是精密計(jì)算系統(tǒng)中的一個(gè)關(guān)鍵存儲(chǔ)器,并且在尺寸縮小和高級(jí)芯片設(shè)計(jì)的推動(dòng)下向高速度、T-7115A-MC-DT高密度和低功耗的方向發(fā)展。盡管DRAM的數(shù)據(jù)傳輸速度已達(dá)到極限并且遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于當(dāng)前最新科技水平的微處理器,但它仍然是目前系統(tǒng)存儲(chǔ)器中的主流力量�；�深槽電容單元或堆棧電容單元有兩種最主要的DRAM技術(shù)[14d5J。圖3,16說(shuō)明了在CMOS基準(zhǔn)上添加深槽電容與堆棧電容流程來(lái)形成DRAM的工藝流程。堆棧單元在CMOS晶體管之后形成,主要應(yīng)用于獨(dú)立的高密度DRAM。深槽單元可以在CMOS晶體管構(gòu)建之前形成,更適合嵌人式DRAM與邏輯的集成。然而,深槽工藝造價(jià)很高,同時(shí)在深槽周圍可能會(huì)形成缺陷。圖3.17展示了一個(gè)DRAM單元的深槽和傳輸晶體管的橫截面[16]。

   浮體單元是相當(dāng)有前景的一種結(jié)構(gòu),它通過(guò)將信號(hào)電荷存儲(chǔ)在浮體上,產(chǎn)生或高或低開(kāi)關(guān)電壓和源漏電流(代表數(shù)字1或0)。這種浮體單元結(jié)構(gòu)已經(jīng)在90n技術(shù)節(jié)點(diǎn)下成功地應(yīng)用于SOI和小單元尺寸(4卩)的體硅,可無(wú)損讀取操作,具有良好的干擾能力和保存時(shí) 間。寫操作可以基于接觸電離電流或者GIDL(寫1時(shí))以及前向偏置結(jié)(寫0時(shí))。因?yàn)榻Y(jié)處漏電的緣故,SC)I上FBC DRAM的潛在記憶時(shí)間要比在體硅上的久一些。整個(gè)制造流程和標(biāo)準(zhǔn)的CMC)S完全兼容,更加適合eDRAM應(yīng)用。基于SOI的浮體結(jié)構(gòu)的DRAM如圖3.18所示。