在淀積薄膜制備工藝中相對于后面第8章物理氣相淀積而言,薄膜附著性好,與襯底結(jié)合得更加牢固。 PIC12F509這是因?yàn)榛瘜W(xué)氣相淀積工藝制各的薄膜物的分子(或原子)是通過化學(xué)反應(yīng)在襯底表面生成的,自身能量較高,可以遷移到合適位置,與襯底分子(或原子)會形成化學(xué)鍵(或化學(xué)吸附)來降低系統(tǒng)自由能,所以薄膜與襯底之間的結(jié)合牢固。

   另外,升高襯底溫度能提高所淀積薄膜與襯底之間的結(jié)合力,溫度越高薄膜分子(或原子)與襯底分子(或原子)形成的化學(xué)鍵越多,兩者之間結(jié)合得就越牢固。工藝方法種類繁多,在集成電路工藝中采用的主要是APCVD、I'PCllD和PEC、0三種方法。隨著集成電路工藝技術(shù)向深亞微米、納米方向發(fā)展,有更多種CX/^lD工藝方法應(yīng)用到集成電路工藝技術(shù)之中,并獲得了發(fā)展進(jìn)步。

   常壓化學(xué)氣相淀積(Λtm°splleⅡc Pres乩te Cl/Il,APCⅥ⑵是最早出現(xiàn)的C、0I藝,其淀積過程在大氣壓力下進(jìn)行。APC`冫0系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單,淀積速率可以超過0.1um/min,較快。目前在淀積較厚的介質(zhì)薄膜(如二氧化硅薄膜)日寸,仍被普遍采用。

     設(shè)備和氣相外延設(shè)備很相似,甚至有些類型的設(shè)備可以相互通用。圖⒎8所示是幾種常用的APCVD設(shè)備的反應(yīng)器結(jié)構(gòu)示意圖。APCVD的反應(yīng)器多是采用射頻線圈直接對基座(易感器)加熱,所以是冷壁式反應(yīng)器。其中,水平反應(yīng)器是APCVD工藝中應(yīng)用最早、用途最廣的反應(yīng)器。在這種反應(yīng)器中,襯底硅片平放在固定的基座上,混合氣體平行于襯底表面流動,氣體如果從一個方向進(jìn)入反應(yīng)器,基座沿著氣流方向有一定的傾斜角度,這和氣相外延水平反應(yīng)器類似,目的也是為了提高氣體沿著流動方向的流速,以使邊界層厚度沿此方向減薄,從而抵消因反應(yīng)劑的消耗而帶來的基座上襯底表面反應(yīng)劑濃度的降低,使淀積薄膜的厚度一致。垂直反應(yīng)器又稱立式反應(yīng)器,有多種類型,其中襯底硅片平放在旋轉(zhuǎn)基座上,氣體通過中央的管道流人石英鐘罩,廢氣沿基座的邊緣流出。這種反應(yīng)器對薄膜厚度控制效果良好,實(shí)驗(yàn)室用APCVD設(shè)各通常采用這種類型的反應(yīng)器。桶形反應(yīng)器的基座是由旋轉(zhuǎn)平板排列成的一個桶形多面體,它與垂直方向偏離幾度,硅片就放在這些平板上,氣流方向平行于襯底表面自上向下流動。這種反應(yīng)器一次能裝載較多硅片,又能較好地控制淀積薄膜的厚度,因此也是使用較多的反應(yīng)器。