盡管設(shè)備是冷壁式系統(tǒng),但在常壓下反應(yīng)劑濃度較高,硅烷和氧氣的反應(yīng)仍可能在氣相發(fā)生,形 PIC12F510成硅的氧化物顆粒,這將造成淀積薄膜質(zhì)量下降,如表面形態(tài)差、密度低等一系列問(wèn)題。通過(guò)降低反應(yīng)劑濃度,添加足夠劑量的氮?dú)饣蚱渌栊韵♂寶怏w,能夠避免氣相反應(yīng)的發(fā)生,這也會(huì)降低淀積速率。而且,硅烷的氧化溫度較低,所以當(dāng)硅烷和氧在氣體噴頭處相遇時(shí)也會(huì)有反應(yīng)發(fā)生,即使這些硅氧化物顆粒生長(zhǎng)速率很低,但在淀積了若干襯底硅片以后,顆粒將長(zhǎng)大到足以剝落,并落在襯底表面上。因此,APC`0工藝的主要缺點(diǎn)就是有氣相反應(yīng)形成的顆粒物。

    APCX/D工藝溫度一般控制在氣相質(zhì)量輸運(yùn)限制區(qū),薄膜淀積速率對(duì)襯底表面反應(yīng)劑濃度敏感, 對(duì)襯底溫度控制要求不是很?chē)?yán)格,這與冷壁式反應(yīng)器襯底溫度遠(yuǎn)高于氣流溫度,氣流的變化會(huì)引起襯底溫度略有起伏相適合。所以,工藝過(guò)程中精確控制反應(yīng)劑成分、計(jì)量和氣相質(zhì)量輸運(yùn)過(guò)程,對(duì)淀積薄膜質(zhì)量的提高和獲得合理的淀積速率起著重要作用。

   對(duì)工藝設(shè)各來(lái)說(shuō),合理設(shè)計(jì)反應(yīng)劑氣體入口是APCVD設(shè)各發(fā)展的關(guān)鍵。圖710所示是一種新型APC、①設(shè)備的進(jìn)氣噴嘴,反應(yīng)劑A和B圖兩者之間被排氣管道隔開(kāi),A和B在距離襯底表面很近的地方才混合,以避免反應(yīng)劑氣相反應(yīng)形成顆粒物。