⒈V曲線的/9c段稱為湯生放電區(qū)。當(dāng)電壓繼續(xù)升高時(shí),外電路轉(zhuǎn)移給電子和離子的能量逐漸增加,PIC12F617電子的運(yùn)動(dòng)速度也隨之加快,電子與中性氣體分子之間的碰撞不再是低速時(shí)的彈性碰撞,而是使氣體分子電離,產(chǎn)生正離子和電子;同時(shí)正離子對(duì)陰極的碰撞也將產(chǎn)生二次電子。新產(chǎn)生的電子和原有的電子繼續(xù)被電場加速,在碰撞過程中有更多的氣體分子被電離,使離子和電子數(shù)目呈雪崩式的倍增,放電電流也就迅速增大。在湯生放電區(qū),極間電壓受到電源高輸出阻抗和限流電阻的限制而呈現(xiàn)為常數(shù)。

   無光放電和湯生放電,都是以存在自然電離源為前提的,如果不存在自然電離源,則氣體放電不會(huì)發(fā)生,因此,這種放電方式又稱為非自持放電。

   FV曲線的段是輝光放電區(qū)。在湯生放電之后,氣體突然發(fā)生電擊穿現(xiàn)象,電路中的電流大幅度增加,同時(shí)放電電壓顯著下降。曲線的c點(diǎn)就是所謂放電的著火點(diǎn),著火點(diǎn)通常是在陰極的邊緣和不規(guī)則處出現(xiàn)。從c點(diǎn)開始進(jìn)人電流增加而電壓下降的←J段,之所以出現(xiàn)負(fù)阻現(xiàn)象是因?yàn)?/span>這時(shí)的氣體已被擊穿,氣體內(nèi)阻將隨著電離度的增加而顯著下降,這一段是前期輝光放電區(qū)。如果再增大電流,那么放電就會(huì)進(jìn)人電壓恒定的瀘召段,這也就是正常輝光放電區(qū),電流的增加顯然與電壓 無關(guān),而只與陰極上產(chǎn)生輝光的表面積有關(guān)。在這個(gè)區(qū)域內(nèi).陰極的有效放電面積隨電流增加而增大,而陰極有效放電區(qū)內(nèi)的電流密度保持恒定。在正常輝光放電區(qū)域?qū)щ姷牧Ｗ訑?shù)日大大增加,在碰撞過程中轉(zhuǎn)移的能量也足夠高,因此會(huì)產(chǎn)生明亮的輝光,而維持輝光放電的電壓較低且不變。當(dāng)整個(gè)陰極均成為有效放電區(qū)之后,也就是整個(gè)陰極全部由輝光所覆蓋.只有增加功率才能增加陰極的電流密度,從而增大電流,也就是說放電的電壓和電流密度將同時(shí)增大,此時(shí)進(jìn)入反常輝光放電區(qū),也就是曲線的召F段。反常輝光放電的特點(diǎn)是兩個(gè)放電極板之間電壓升高時(shí),電流增大,且陰極附近電壓降的大小與電流密度和氣體真空度有關(guān),因?yàn)榇藭r(shí)輝光已布滿整個(gè)陰極,再增加電流時(shí),離子層已無法向四周擴(kuò)散。這樣,正離子層便向陰極靠攏,使正離子層與陰極之間距離縮短,若想再提高電流密度,則必須增大陰極壓降使正離子有更大的能量去轟擊陰極,使陰極產(chǎn)生更多的二次電子。氣體擊穿之后,電子和正離子是來源于電子的碰撞和正離子的轟擊,即使不存在自然電離源,導(dǎo)電也將繼續(xù)下去,故這種放電方式叉稱為自持放電。當(dāng)氣體擊穿時(shí),也就是從非自持放電過渡到自持放電的過程。FV曲線的廣g段是電弧放電區(qū)。隨著電流的繼續(xù)增加,放電電壓將再次突然大幅度下降,電流急劇增加,這時(shí)的放電現(xiàn)象開始進(jìn)人電弧放電階段。