熱絲化學(xué)氣相淀積(Hot Ⅶre CVD,F叩為0)是一種新近發(fā)展起來的CV「l薄膜制備方法。它采PIC12F752用高溫?zé)峤z分解前驅(qū)氣體,通過調(diào)節(jié)前驅(qū)氣體組分配比和熱絲溫度而獲得大面積的高質(zhì)量淀積薄膜。例如,用⒏H4(H2)制備HWCⅥ)多晶硅薄膜。用鎢絲作為熱絲,熱絲溫度為18∞℃,襯底溫度為250℃,淀積室真空度為42Pa,襯底與熱絲距離為48mm。⒊H4在熱絲處分解為游離態(tài)的Sl和H,s被襯底吸附生成多晶硅,兩個H生成H2離開。

    HWCX/△D方法具有設(shè)各簡單、淀積溫度低、不引人等離子體等優(yōu)點(diǎn)。

   激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相淀積

   激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相淀積(I'aser CVD,LCVD)是將激光應(yīng)用于常規(guī)Cˇ0的一種新技術(shù)。通過激光活化反應(yīng)劑氣體使化學(xué)反應(yīng)能在較低溫度下進(jìn)行,即激光能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能,在這個意義上LC`0類似于PEC`①。

   LC0方法是用激光束照射淀積室內(nèi)的反應(yīng)劑氣體,激發(fā)并維持化學(xué)反應(yīng)發(fā)生,固態(tài)生成物淀積在襯底上生成薄膜。LCX/D的最大優(yōu)點(diǎn)是不直接加熱襯底,空問選擇性好,甚至可以使薄膜生長限制在襯底的任意微區(qū)內(nèi),進(jìn)行選擇淀積,而且淀積速率也較快。