隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體器件的特征尺寸顯著減小,相應(yīng)地也對芯片制造工藝提出了更高的要求,其中一個具有挑戰(zhàn)性的難題就是絕緣介質(zhì)在各個薄膜層之間均勻無孔的填充,以提供充分有效的隔離保護, NCP330MUTBG包括淺槽隔離(shallow trencll isolauon)、金屬前絕緣層(pre_metal dielectric)、金屬層間絕緣層(inter-meta⒈dielecthc)等。

   高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP CVD)工藝自20世紀90年代中期開始被先進的芯片工廠采用以來,以其卓越的填孔能力、穩(wěn)定的沉積質(zhì)量、可靠的電學(xué)特性等諸多優(yōu)點而迅速成為0.25um以下先進I藝的主流。