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拋光設(shè)備:多片式拋光機(jī),單片式拋光機(jī)。

發(fā)布時(shí)間:2017/10/20 21:04:05 訪問(wèn)次數(shù):423

   拋光設(shè)備:多片式拋光機(jī),單片式拋光機(jī)。

   清洗:在晶片加I過(guò)程中很多步驟需要用到清洗,清洗有化學(xué)清洗和機(jī)械清洗。這里的N25Q064A13E1240F清洗是指拋光后的最終清洗,目的是清除晶片表面的污染物。清洗方法采用傳統(tǒng)的RCA清洗①程序。主要清洗用化學(xué)試劑:H2S01,H202,HF,NH1OH,HCl。

   檢驗(yàn):檢測(cè)晶片表面清潔度和平整度等情況。檢驗(yàn)合格的硅片就可以裝箱售出了。另外,用于集成電路的硅片通常在清洗前要做背損傷,目的是用損傷層來(lái)吸雜,主要方法有研磨、噴砂,以及重金屬離子注入。這道工序根據(jù)需要而定。損傷層能吸收金屬雜質(zhì)和點(diǎn)缺陷(間隙雜質(zhì))。

    硅片規(guī)格及用途

   微電子芯片生產(chǎn)廠家一般是直接購(gòu)買(mǎi)硅片作為襯底材料,所生產(chǎn)的芯片用途不同、品種不同,選用的硅片規(guī)格也就不同。硅片規(guī)格有多種分類(lèi)方法,可以按照硅片直徑、單晶生長(zhǎng)方法、摻雜類(lèi)型等參量和用途來(lái)劃分種類(lèi)。

   拋光設(shè)備:多片式拋光機(jī),單片式拋光機(jī)。

   清洗:在晶片加I過(guò)程中很多步驟需要用到清洗,清洗有化學(xué)清洗和機(jī)械清洗。這里的N25Q064A13E1240F清洗是指拋光后的最終清洗,目的是清除晶片表面的污染物。清洗方法采用傳統(tǒng)的RCA清洗①程序。主要清洗用化學(xué)試劑:H2S01,H202,HF,NH1OH,HCl。

   檢驗(yàn):檢測(cè)晶片表面清潔度和平整度等情況。檢驗(yàn)合格的硅片就可以裝箱售出了。另外,用于集成電路的硅片通常在清洗前要做背損傷,目的是用損傷層來(lái)吸雜,主要方法有研磨、噴砂,以及重金屬離子注入。這道工序根據(jù)需要而定。損傷層能吸收金屬雜質(zhì)和點(diǎn)缺陷(間隙雜質(zhì))。

    硅片規(guī)格及用途

   微電子芯片生產(chǎn)廠家一般是直接購(gòu)買(mǎi)硅片作為襯底材料,所生產(chǎn)的芯片用途不同、品種不同,選用的硅片規(guī)格也就不同。硅片規(guī)格有多種分類(lèi)方法,可以按照硅片直徑、單晶生長(zhǎng)方法、摻雜類(lèi)型等參量和用途來(lái)劃分種類(lèi)。

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N25Q064A13E1240F
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