傳統(tǒng)的CMOS技術(shù)通過工藝微縮來提供更好的器件性能和更高的元件密度,從而在K4S561632J-UC75更低的成本下獲得更好的系統(tǒng)性能。然而,隨著工藝的不斷微縮,傳統(tǒng)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)正受到一些基本要求的限制,它所要求的更薄柵氧化物和更高的溝道摻雜會使得器件產(chǎn)生高漏電和低性能。所以,需要通過新技術(shù)與遷移速率提升工藝來維持CMOS器件的微縮路線圖[lJ。高介電常數(shù)柵氧化物和金屬柵電極工藝已經(jīng)在第4章中討論,本章將討論一種提升遷移速率的工藝方法,即局部應(yīng)力工藝。

   應(yīng)用于單晶硅上的機(jī)械應(yīng)力將會改變原子內(nèi)部的晶格間距,相應(yīng)地改變了電子能帶結(jié)構(gòu)和密度,從而改變載流子的遷移率。載流子的遷移率,g為電荷,1/r為散射速率,P,z※為導(dǎo)體的有效質(zhì)量。