除控制人射角之外,利用反濺射(離子轟擊基底)的辦法也可以提高側(cè)壁覆蓋。在等OPA2340EA/2K5 離子體環(huán)境中,晶圓表面是有負(fù)偏壓的,通過電容耦合器件可大大增加鞘區(qū)電壓。晶圓表面偏壓對(duì)金屬離子有調(diào)節(jié)入射方向的作用,但是如果偏壓大到一定程度,人射到晶圓表面的離子能量就會(huì)超出晶圓表面物質(zhì)的濺射閾值,起到對(duì)晶圓表面的濺射作用,一般 把這種對(duì)晶圓表面的濺射作用稱作反濺射(re sptltter)。反濺射的實(shí)現(xiàn)有兩個(gè)必要條件:

   靠近基底表面有充足的離子;②基底上加載足夠的負(fù)偏壓。反濺射可以讓沉積在底部的金屬轉(zhuǎn)移到側(cè)壁上,增加側(cè)壁的覆蓋率(見圖6,26)�？梢栽�沉積時(shí)保持一定的反濺射率,也可以在獨(dú)立的制程步驟反濺射,要在獨(dú)立的步驟實(shí)現(xiàn)反濺就需要一些獨(dú)立的單元來維持反濺射需要的等離子體。具有獨(dú)立反濺射功能的物理氣相沉積(Advanced IonizedPhysical Vapor Deposition,AIPVD)能夠大大降低 通孔電阻,提高連線的良率和穩(wěn)定性「ll。當(dāng)反濺射達(dá)到一定的量,通孔底部的阻擋層就會(huì)被打開。如果通孔底部被打通,少量的殘留物和氧化銅在這個(gè)過程也會(huì)除去,這樣的反濺射同時(shí)起到對(duì)通孔底部的清潔作用,在阻擋層沉積前的預(yù)清潔也可以省去,這種制程一般叫做阻擋層優(yōu)先工藝(barⅡer hrst)"l。阻擋層優(yōu)先的制程能夠獲得較低的通孔電阻,并且避免了預(yù)清潔制程帶來的副作用。