但是過量的反濺射必然會破壞溝槽和通孔的形貌,會導(dǎo)致粗糙的介質(zhì)表面,隨著介質(zhì)OPA2348AIDR材料介電常數(shù)的降低,材料的孔隙率也呈逐漸增大的趨勢,孔隙率越大,結(jié)構(gòu)強(qiáng)度越低,對物理轟擊的抵抗力就越小。以新一代的低介電常數(shù)介質(zhì)材料為基礎(chǔ)的后段I藝必然會嚴(yán)格控制反濺射的用量。當(dāng)然也有人通過反濺射工藝參數(shù)的優(yōu)化來加大對溝槽通孔結(jié)構(gòu)的保護(hù),主要是利用方向角分布較大的中性粒子來補(bǔ)充容易受到損傷的拐角位置,這樣的調(diào)整一定程度上增加了反濺射制程的延伸性。

    隨著互連線的尺寸進(jìn)-步縮小,阻擋層在互連線電阻中的貢獻(xiàn)越來越大,在保持薄膜阻擋性能的前提下降低阻擋層的厚度就成為一個(gè)很關(guān)鍵的問題。PVD的方法趨于極限,一些新的方法也逐漸完善。例如原子層沉積(Atom Layer Depositi°n,AI'D)阻擋層工藝,這種T藝與PVD相比具有極大的填洞優(yōu)勢,能夠做到極好的側(cè)壁覆蓋。另外一方面AID能夠形成很薄(10A左右)而且連續(xù)性很好的薄膜,這樣可以增加銅線的有效截面積,減小銅線的電阻[151。但是ALD的方法還要面對一些工藝整合上的挑戰(zhàn),如和種子層之間黏附性的問題,沉積過程中氣體往多孔介質(zhì)材料中擴(kuò)散的問題等[161。ALD究竟在何時(shí)取代PVD還要看ALD技術(shù)的完善以及PVD技術(shù)本身的發(fā)展。