人們通過(guò)努力在硅片旋涂光刻膠前使用一種叫做丙二醇甲醚醋酸酯(分子式為CH3COOCH(CH3)CH2O CH3,PGMEA的化學(xué)溶劑)對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理。 TA2042F這種方法叫做節(jié)省光刻膠涂層(Resist Reduction Coatillg,RRC)。不過(guò),如果這種方法使用不當(dāng),會(huì)產(chǎn)生缺陷。缺陷可能是由在RRC同光刻膠界面上的化學(xué)沖擊和空氣中的氨對(duì)RRC溶劑的污染有關(guān)。

   保持顯影機(jī)或者顯影模塊的排風(fēng)壓力,以防止顯影過(guò)程中,在硅片旋轉(zhuǎn)過(guò)程中顯影液微小液滴的回濺。

   由于光刻膠的黏度會(huì)隨著溫度的變化而改變,可以通過(guò)有意改變硅片或者光刻膠的溫度來(lái)獲得不同的厚度。如果在硅片不同區(qū)域設(shè)定不同的溫度,可以在一片硅片上取得不同的光刻膠厚度,通過(guò)線(xiàn)寬隨光刻膠厚度的規(guī)律(波動(dòng)線(xiàn),swing curve)確定光刻膠的最佳厚度,以節(jié)省硅片、機(jī)器時(shí)間和材料[l。]。有關(guān)波動(dòng)線(xiàn)的論述將在后續(xù)章節(jié)論述。對(duì)于抗反射層的旋涂的方法和原理也是一樣的。