實(shí)踐顯示,以下流程的采用可以大幅度的降低缺陷的產(chǎn)生。

   (1)光刻膠本身必須潔凈并且不含顆粒性物質(zhì)。涂膠前必須使用過(guò)濾過(guò)程,而且過(guò)T-7571-3EC-TR濾器上的濾孔大小必須滿足技術(shù)節(jié)點(diǎn)的要求。

   (2)光刻膠本身必須不含被混人的空氣,因?yàn)闅馀輹?huì)導(dǎo)致成像缺陷。氣泡同顆粒的表現(xiàn)類似。

   (3)涂膠碗的設(shè)計(jì)必須從結(jié)構(gòu)上防止被甩出去的光刻膠的回濺。

   (4)輸送光刻膠的泵運(yùn)系統(tǒng)必須設(shè)計(jì)成在每次輸送完光刻膠后能夠回吸�；匚淖饔�是將噴口多余的光刻膠吸回管路,以避免多余的光刻膠滴在硅片上或者多余的光刻膠干涸后在下一次輸送時(shí)產(chǎn)生顆粒性缺陷�；匚鼊�(dòng)作應(yīng)該可以調(diào)節(jié),避免多余的空氣進(jìn)人管路。

   (5)硅片邊緣去膠(Edge Bead Removal,EBR)使用的溶劑需要控制好。在硅片旋涂過(guò)程中,光刻膠由于受到離心力會(huì)流向硅片邊緣和由硅片邊緣流到硅片背面。在硅片邊緣由于其表面張力會(huì)形成一圈圓珠型光刻膠殘留,如圖7.11所示。這種殘留叫做邊緣膠滴(edge bead),如果不去掉,這一圈膠滴干了后會(huì)剝離形成顆粒,并掉在硅片上、硅片輸送工具上以及硅片處理設(shè)備中,造成缺陷率的升高。不僅如此,硅片背面的光刻膠殘留會(huì)粘在硅片平臺(tái)上(wafer chuck),造成硅片吸附不良,引起曝光離焦,套刻誤差增大。通常光刻膠涂膠設(shè)備中裝有邊緣去膠裝置E:]。通過(guò)在硅片邊緣(上下各一個(gè)噴嘴,噴嘴距離硅片邊緣位置可調(diào))硅片的旋轉(zhuǎn)來(lái)達(dá)到清除距離硅片邊緣一定距離的光刻膠的功能。

   (6)經(jīng)過(guò)仔細(xì)計(jì)算,發(fā)現(xiàn)大約90%~99%以上的光刻膠被旋出了硅片,因而被浪費(fèi)了。