在顯影后,由于硅片接觸到水分,光刻膠會(huì)吸收一些水分,這對(duì)后續(xù)的工藝,如濕發(fā)刻蝕不利。TA7504M于是需要通過堅(jiān)膜烘焙(hard bake)來將過多的水分驅(qū)逐出光刻膠。由于現(xiàn)在刻蝕大多采用等離子體刻蝕,叉稱為“干刻”,堅(jiān)膜烘焙在很多工藝當(dāng)中已被省去。

   測(cè)量

   在曝光完成后,需要對(duì)光刻所形成的關(guān)鍵尺寸以及套刻精度進(jìn)行測(cè)量(metrc,logy)。關(guān)鍵尺寸的測(cè)量通常使用掃描電子顯微鏡,而套刻精度的測(cè)量由光學(xué)顯微鏡和電荷耦合陣列成像探測(cè)器(Charge Coupled Device,CCD)承擔(dān)。使用掃描電子顯微鏡的原因是由于半導(dǎo)如果加速電壓為300V,則電子的波長(zhǎng)為0.07nm,對(duì)于線寬的測(cè)量足矣。實(shí)際工作中,電子顯微鏡的分辨率是由電子束在材料中的多次散射以及電子透鏡的像差決定的。通常,電子顯微鏡的分辨率為幾十個(gè)納米,測(cè)量線度的誤差在1~3nm左右。雖然套刻精度也已經(jīng)達(dá)到納米級(jí)別,但是,由于測(cè)量套刻只需要具備較粗線條中央位置確定的能力,測(cè)量套刻精度可以使用光學(xué)顯微鏡。