曝光能量寬裕度,歸一化圖像對(duì)數(shù)斜率(NILs)

   在第二節(jié)中提到:曝光能量寬裕度(EL)是指在線寬允許變化范圍內(nèi),曝光能量允許的最大偏差。TA7506M它是衡量光刻工藝的一項(xiàng)基本參數(shù)。圖7.13(a)表示光刻圖形隨曝光能量和焦距的變化規(guī)律。圖7.13(b)表示在一片硅片上曝出不同能量和焦距的二維分布測試圖案,它像一個(gè)矩陣一樣,又叫做焦距能量矩陣(F°cus Exposure MatⅡx,FEM)。此矩陣用來測量光刻工藝在某個(gè)或者某幾個(gè)圖形上的工藝窗口,如能量寬裕度、對(duì)焦深度。如果加上掩膜版上的特殊測試圖形,焦距能量矩陣還可以測量其他有關(guān)工藝和設(shè)各的性能參數(shù),如光刻機(jī)鏡頭的各種像差、雜光(flare)、掩膜版誤差因子、光刻膠的光致酸擴(kuò)散長度、光刻膠的靈敏度、掩膜版的制造精度等。