這里只討淪一些基本的光刻膠內(nèi)容,具體的請(qǐng)見專門的章節(jié)。這里介紹光刻膠的類型、 UA7812C光刻膠的原理以及光刻膠的簡(jiǎn)單模型。

   光刻膠首先可以分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。正性光刻膠在給予一定量的曝光之后,在顯影液里面的溶解率會(huì)顯著升高。而負(fù)性光刻膠正好相反,在經(jīng)過曝光之后,變得很難溶解于顯影液。在硅片曝光機(jī)出現(xiàn)之前,負(fù)性光刻膠主導(dǎo)著半導(dǎo)體光刻工藝「mJ。但是,由于負(fù)性光刻膠通過光化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)小分子的交聯(lián)(cross hnking)來降低在有機(jī)溶劑(顯影液)中的溶解率,不呵避免地會(huì)在顯影過程當(dāng)中吸收顯影液并且造成膨脹(swelling),對(duì)于分辨率要求較高的丁藝會(huì)造成困難;而且,用作顯影液的有機(jī)溶劑在使用與廢棄方面也面臨不小挑戰(zhàn);此外這種光刻膠容易在空氣中被氧化,導(dǎo)致了現(xiàn)代I業(yè)當(dāng)中絕大多數(shù)光刻膠都是正性光刻膠。進(jìn)人了深紫外時(shí)代(248nm、193nm),由于負(fù)性光刻膠在分辨率與靈敏度方面的矛盾:一方面,我們需要負(fù)性光刻膠的高靈敏度,稍微有一點(diǎn)光就能夠改變?cè)陲@影液中的溶解率;另一方面,我們又需要其在空問像定義的沒有光的地方不留下光刻膠殘留。高靈敏度會(huì)導(dǎo)致在空間像定義的沒有光的地方(實(shí)際上沒有空間像會(huì)造就完全沒有光的地方,少有空問像具有100%對(duì)比度)產(chǎn)生一定程度的被曝光,導(dǎo)致顯影不完全。而正性光刻膠就沒有這個(gè)問題。正性光刻膠高靈敏度比較容易實(shí)現(xiàn),因?yàn)樗恍枰诳臻g像定義的有光的地方大部分光刻膠被曝光,就可以將整塊地方被顯影液沖走(像拆大樓),而不像負(fù)性光刻膠,需要對(duì)在空問像定義的有光的地方最大限度地曝光,以形成可以抵御顯影的堅(jiān)固的區(qū)域(像建大樓)。