對于部分相干光照明,可以將式(723)對=1和2做一個平均(事實證明結果很精確)。 S-3510ANFJA當然,這里采用了一些近似是為了物理含義更加清晰

地展示出來。把式(723)代人式(722),對一個給定的間隙ga夕測得值g勿夕(anchor),便可以通過簡單的迭代法循環(huán)得到在逐漸縮小的間隙下的MEF值和間隙值,直到MEF發(fā)散。我們知道,這意味著線端在硅片光刻膠上的像融合在一起了,這在光刻工藝中是需要避免的。

   圖7,26顯示了以上討論的簡單的、基于點擴散函數(shù)的理論同實驗結果的比較情況,可以看到,在僅僅只有一個擬合參量,光酸擴散函數(shù)夕和每個線寬一個定標點的前提下,理論同實驗的符合程度很好。此結果說明線端縮短同光酸的擴散長度、線寬有很大關系,同具體的照明條件沒有很大的關系。還可以算出在這4種情況下(110nm、130nm、150nm和180nm線寬),在什么掩膜版的間隙下,硅片上的間隙會發(fā)生融合。由于對于110nm和130nm線端,在70nm間隙時仍然有大于110nm的硅片上的間隙(圖7.26),而這是掩膜版上最小的間隙尺寸,在這次實驗中,我們無法得到融合發(fā)生的信息。但是,對于150nm和180nm的孤立線端,從實驗中可以發(fā)現(xiàn),分別在80nm和110nm時,線端發(fā)生融合(merge)。理論計算值分別為80nm和100nm,如圖7.27所示。由于迭代的步進長度為10nm,由此可見,這個簡單的算法對預言線端融合的位置還是很精確的。