缺陷按來(lái)源分類可以分為掩膜版缺陷、工藝引入的缺陷、襯底引人的缺陷。 V42238B9-A/E8.8

   掩膜版的缺陷通常源于掩膜版在制造過(guò)程當(dāng)中引入的圖形缺陷,如線寬制造錯(cuò)誤,部分細(xì)小圖形的缺失(如亞衍射散射條)以及引人的外來(lái)顆粒。工藝的缺陷叉可以按照流程來(lái)劃分:涂膠引人的缺陷、曝光過(guò)程引入的缺陷(包括浸沒(méi)式和非浸沒(méi)式)、顯影過(guò)程引人的缺陷。

涂膠引人的缺陷有底部抗反射層、光刻膠本身引人的顆粒、結(jié)晶、氣泡等顆粒類型的缺陷,還有由于硅片表面的顆粒異物造成甩膠時(shí)產(chǎn)生的放射狀缺陷。

   顯影過(guò)程引入的缺陷有顯影液回濺產(chǎn)生水霧(developer mist),導(dǎo)致硅片邊緣區(qū)域產(chǎn)生過(guò)度顯影的小區(qū)域,還有被顯影沖洗下來(lái)的光刻膠殘留沒(méi)有被沖洗帶走,留在硅片表面。此外,還有與襯底粘附性不良造成的剝離缺陷。對(duì)于接觸孔(contacthole)、通孔(via)層,還有孔缺失(missing hole,missing col△taCt/Via)缺陷L4∶�？兹笔毕菀�般由于以下幾種原因造成:

   ・光刻膠的顯影不良,因?yàn)轱@影或顯影沖洗不好,沒(méi)能有效地將溶解的和部分溶解的光刻膠殘留物帶離硅片表面。通常這類缺陷會(huì)先發(fā)生在硅片邊緣。

   ・光刻I藝沒(méi)有足夠的對(duì)焦深度(Depth of Focus,DC)F),使得在硅片表面有一點(diǎn)高低起伏時(shí),發(fā)生一定區(qū)域上的孔缺失。

   ・光刻工藝擁有較高的掩膜版誤差因子(MEF),一般))4.0,當(dāng)掩膜版上的線寬誤差達(dá)到一定程度時(shí),發(fā)生孔的缺失。