如圖8,7所示,MPRS3D展示了在一個圓筒形反應器內,由進氣口、抽氣口和非均勻功率沉積所造成的硅刻蝕的方位角不均勻性。VN1160基本條件包括:壓力10mT°rr,⒛00W的13.56MHz射頻功率沉積,500K的氣體溫度,79sccm的純氯氣。在上述條件下,進行了四組模擬比較,研究了方位角的非對稱性。這是第一次研究聚焦環(huán)對刻蝕均勻性的影響。均勻的功率沉積在這里是指線圈中的電流保持方位角均勻,僅在徑向卜有變化。非均勻功率沉積假設電流沿著線圈的路徑線性增加,最終發(fā)生了徑向和方位角方向⒈的電流變化。包含有氯原子吸附的簡單離子輔助表面反應和離子輔助刻蝕被設定為其中,表示在鞘與前鞘邊界處中性粒子密度,Tg是氣體溫度,″、是中性粒子的質量,r代表中性粒子的反應幾率。模擬結果揭示出在均勻能量沉積的情形下,離子驅動刻蝕在晶圓上的刻蝕速率分布受到了抽氣口的擾動。然而,圖8.7(c)和圖8.7(d)的情形主要是由非均勻功率沉積的影響造成的。在帶有聚焦環(huán)的情形下,刻蝕速率略低,這是由于在環(huán)的表面產生了復合損失。聚焦環(huán)在某種程度L減弱了方位角不均勻性。在四組模擬中,氣體的進氣口甚至都沒有引起局部的擾動。