如圖8,7所示,MPRS3D展示了在一個(gè)圓筒形反應(yīng)器內(nèi),由進(jìn)氣口、抽氣口和非均勻功率沉積所造成的硅刻蝕的方位角不均勻性。VN1160基本條件包括:壓力10mT°rr,⒛00W的13.56MHz射頻功率沉積,500K的氣體溫度,79sccm的純氯氣。在上述條件下,進(jìn)行了四組模擬比較,研究了方位角的非對(duì)稱性。這是第一次研究聚焦環(huán)對(duì)刻蝕均勻性的影響。均勻的功率沉積在這里是指線圈中的電流保持方位角均勻,僅在徑向卜有變化。非均勻功率沉積假設(shè)電流沿著線圈的路徑線性增加,最終發(fā)生了徑向和方位角方向⒈的電流變化。包含有氯原子吸附的簡(jiǎn)單離子輔助表面反應(yīng)和離子輔助刻蝕被設(shè)定為其中,表示在鞘與前鞘邊界處中性粒子密度,Tg是氣體溫度,″、是中性粒子的質(zhì)量,r代表中性粒子的反應(yīng)幾率。模擬結(jié)果揭示出在均勻能量沉積的情形下,離子驅(qū)動(dòng)刻蝕在晶圓上的刻蝕速率分布受到了抽氣口的擾動(dòng)。然而,圖8.7(c)和圖8.7(d)的情形主要是由非均勻功率沉積的影響造成的。在帶有聚焦環(huán)的情形下,刻蝕速率略低,這是由于在環(huán)的表面產(chǎn)生了復(fù)合損失。聚焦環(huán)在某種程度L減弱了方位角不均勻性。在四組模擬中,氣體的進(jìn)氣口甚至都沒(méi)有引起局部的擾動(dòng)。