先進(jìn)的干法刻蝕反應(yīng)器
發(fā)布時間:2017/11/2 20:11:22 訪問次數(shù):682
先進(jìn)的干法刻蝕反應(yīng)器
如圖8.10所示,就導(dǎo)體和電介質(zhì)刻蝕機(jī)雨j占,排列在前二甲的干法VSC8145VQ-03刻蝕機(jī)廠商包括泛林半導(dǎo)體(I'am rescarch,I'AM),東京電子(Tokyo Electror,TEI')和應(yīng)用材料公司(Applicd Materials,AMAT)。事實上,盡管CM()S的特征尺寸在過去的十年閘(2001~2010年)已經(jīng)從0,13um縮減到45nm,這一排序沒有改變過。每個廠商都開發(fā)出各自不同的硬件體系,用來滿足對片內(nèi)和片間均勻性控制的苛刻需求。
先進(jìn)的干法刻蝕反應(yīng)器
如圖8.10所示,就導(dǎo)體和電介質(zhì)刻蝕機(jī)雨j占,排列在前二甲的干法VSC8145VQ-03刻蝕機(jī)廠商包括泛林半導(dǎo)體(I'am rescarch,I'AM),東京電子(Tokyo Electror,TEI')和應(yīng)用材料公司(Applicd Materials,AMAT)。事實上,盡管CM()S的特征尺寸在過去的十年閘(2001~2010年)已經(jīng)從0,13um縮減到45nm,這一排序沒有改變過。每個廠商都開發(fā)出各自不同的硬件體系,用來滿足對片內(nèi)和片間均勻性控制的苛刻需求。
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