Zhang(⒛02年)「nJ應(yīng)用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)就四個(gè)操控輸人與基于2D MPRES試驗(yàn)設(shè)計(jì)的壓縮了的⒈D刻蝕速率之間的關(guān)系進(jìn)行了驗(yàn)證。圖8.9顯示的是前兩個(gè)的“得分”,VS1003B它們是從小波壓縮變化及ICP功率與流速的函數(shù)得來的,腔內(nèi)壓力定為15mT。rr,RF偏置幅度為500V。第一個(gè)得分表示最低水平的近似刻蝕速率分布變化,它反映的是刻蝕速率分布的最低頻率。第二個(gè)得分捕獲到最低水平下刻蝕速率分布的細(xì)節(jié),它們都顯示出非線性。對(duì)于固定的ICP功率,當(dāng)流速變化時(shí),可以注意到第一個(gè)得分的單調(diào)變化。第二個(gè)得分也有類似的趨勢(shì),指出刻蝕速率隨氣體流速上升而減少。這可以解釋為隨著流速的增加,離子與中性粒子間的碰撞增強(qiáng)了,并且離子在穿越鞘時(shí)損失了能量。罔定流速,ICP功率對(duì)于兩個(gè)得分都形成了山形響應(yīng)面。這可以解釋成ICP功率和RF偏置的協(xié)同效應(yīng),見公式(83)c當(dāng)RF偏置減小,“山”也將減小,囚為在低RF偏置、高ICP功率時(shí),刻蝕速率被限制在離子反應(yīng)區(qū)。

   圖8.9 小波壓縮的得分響應(yīng)表面作為rP功率和流速的函數(shù)