除了上述的接觸孔刻蝕的調(diào)節(jié)方法,ESC溫度和圖形化方案對(duì)孔圓度控制、側(cè)辟形狀MAX9111EKA-T和不同特征情況下的收縮比率也很重要的。圖8,29(a)顯示的是在如nm及以下丁藝節(jié)點(diǎn)巾,經(jīng)常出現(xiàn)在s卜Barc圖形化和℃EsC邊緣重疊控制中的鳥嘴型.這有町能導(dǎo)致接觸孔對(duì)多晶硅柵短路,ml圖8.29(b)和圖8.29(c)顯示的是由丁0℃E廴:聚合物過度的原因,0℃E隊(duì))+si―Barc圖形化后造成接觸孔未開通問題。而且,矩形接觸孔CD的收縮是方形接觸孔的兩倍,這意味著刻蝕的矩形接觸孔可能無法將多晶硅柵與AA相連。所有這些情況促使利用不定形碳掩膜。圖8.30顯示了部分主刻蝕比較的結(jié)果,不定形碳掩膜由于它出色的硬度和化學(xué)惰性表現(xiàn)更好。