應(yīng)力記憶技術(shù)(sMT)L2Γ已經(jīng)成為應(yīng)變硅技術(shù)的一種,從65nm△藝節(jié)點(diǎn)開始用于增強(qiáng)NMOs的性能。 PCI2050BIZHK通常將具有拉伸應(yīng)力的SiN層覆蓋在NMC)S上,在尖峰退火后便產(chǎn)生了SMT效應(yīng)。由于多晶硅和⒏N層導(dǎo)熱系數(shù)的差異,在尖峰退火中產(chǎn)生了一個(gè)面內(nèi)拉伸應(yīng)力和一個(gè)縱向壓縮應(yīng)力,并將其直接傳遞到溝道中。NMOS的性能將受益于這種組合的應(yīng)變形式,應(yīng)力的強(qiáng)度與應(yīng)力薄膜的密度(楊氏模量)直接相關(guān)。通常,低密度/孑L隙率意味著有較大的應(yīng)力被引人到了多晶硅柵中。然而,在sMT應(yīng)用的早期階段,NMOs性能的提升是以PMOS性能下降為代價(jià)的。由于有⒏N層覆蓋,氧化物下面的氫無法在尖峰退火時(shí)釋放掉,最終造成PMOS源區(qū)和漏區(qū)的硼失去活性和外擴(kuò)。這種PMOS性能的退化與SiN應(yīng)力層的孔隙率密切相關(guān),并會(huì)隨著siN薄膜孔隙率的增加完全消除。然而,這不是NMOS特性所需要的。NM()s特性需要siN薄膜具有更小的孔隙率,以此來引人高應(yīng)力。

   圖8,54顯示的是避免PMOS退化的解決方案之一.即在尖峰退火前,通過干法刻蝕(SMT刻蝕),局部除去應(yīng)力薄膜。通常的做法是在SiN應(yīng)力薄膜下面,先生長(zhǎng)一層薄氧化層作為停止層。SMT刻蝕主要包含兩個(gè)步驟:①采用低壓((20mTorr)和CF!的短時(shí)間主刻蝕;②采用CHF3和CH2F2的高選擇比過刻蝕。SMT刻蝕可以在導(dǎo)體刻蝕機(jī)中進(jìn)行,剩下的SiN覆蓋層最后用濕法除去。SMT刻蝕屮的一個(gè)問題是SiN層厚在圖形稠密和疏松區(qū)域之間的變化。隨著CMOS的等比例縮小,這個(gè)問題變得尤為糟糕。因?yàn)樵谛柧?/span>的情況下,更薄的siN薄膜常常與穿通的風(fēng)險(xiǎn)以及sGe損失所造成的PM()s退化有關(guān)。sN應(yīng)力層與其停止層之間的高刻蝕選擇比是至關(guān)重要的,其引發(fā)了對(duì)不同薄停止層的評(píng)

估。除了11面的SMT刻蝕以外,由于存在于SMT相關(guān)的窄寬度效應(yīng),所以可能對(duì)NMOs上的⒏N層需要-種新的SMT刻蝕。也就是說,在NMC)s屮,可以基于AA(activc area)的寬度調(diào)節(jié)引入的應(yīng)力。