后段制程中,銅金屬W-117S1P-18內(nèi)連線引人,用于替代鋁。為避免與非銅區(qū)域機(jī)臺(tái)交叉污染和阻止器件性能的降低,必須強(qiáng)制執(zhí)行晶背去污染清洗。晶片背面氮化硅的出現(xiàn)會(huì)限制銅的擴(kuò)散。C,Richard等人評(píng)估各種化學(xué)品對(duì)晶背銅的清洗,并報(bào)道DHF和DHF/H2o2是最理想的、較少氮化硅保護(hù)膜損失的化學(xué)品,如圖9.13所示。

   晶片邊緣污染去除失敗,會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的交叉污染,像后續(xù)CMP制程會(huì)把污染從品片邊緣帶到其他區(qū)域。I'ysaght等人披露,在單片旋噴清洗機(jī)上使用混合酸(HsPΘ|:H202:HCl:H2()),可以精確控制去除銅0,5mm到3,0mm,并得到一個(gè)在Cu與Ta之問(wèn)的理想斜坡(見(jiàn)圖9.14)。單片旋轉(zhuǎn)噴清洗機(jī)被廣泛應(yīng)用于晶片邊緣污染控制,同時(shí)沒(méi)有化學(xué)品傷及晶片正面。