(lM()S正面制造過程中,不可避免地帶給背面和邊緣一些污染,特別是膜層沉積、圖案W107DIP-5定義、化學(xué)機(jī)械拋光(CrMP)步驟。一方面,晶片背面的顆粒在曝光時(shí)會(huì)導(dǎo)致一些問題,如局 部聚焦偏離;另一方面,晶片背面污染可能導(dǎo)致在傳輸、量測(cè)機(jī)臺(tái)、步進(jìn)機(jī)和別的機(jī)臺(tái)L的交叉污染,這些污染,如金屬,在硅中有高的擴(kuò)散速率,當(dāng)進(jìn)行爐管制程時(shí),可能從晶片背面擴(kuò)散到器件L×并降低器件性能;另外,在封裝步驟,晶片研磨減薄的損傷也可導(dǎo)致更多應(yīng)力,容易使晶片破碎。目前,人們已經(jīng)意識(shí)到晶片邊緣的污染可能引起更多的缺陷,在隨后的制程中逐漸對(duì)器件造成影響,最終導(dǎo)致良率的降低。以上提及的污染可能是顆粒、金屬、未知的膜層,它們必須用各種清洗手段加以去除,以下給予介紹。

   為了滿足未來CM()S時(shí)代的要求,以降低功率消耗和提高器件性能為目的,大量新材料被引人制造。它們包括用于絕緣的高電介質(zhì)材料(氧化鉿Hf02,氧化鋯Zro2,氧化鋁Al?03,氧化鑭La2o3,氧化鈧Sc02,氧化鐠Pro2,氧化鈰Ceo2,・・…、以及混合氧化物)、用于電極(TiN,TaN,Al,W,Pt,Ir,Mo・…・o和白對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物(Cosi.Tisi,NiSi,

NiPtSi・・…o的金屬。這些金屬對(duì)晶背的污染不。r避免,且必須被去除。在可杳的各種化學(xué)品中,R,Vos等人指出,除了Ta和Pt(見圖9.12)sJ,大多數(shù)金屬都可用HF為主體的藥液去除到0.5x10⒈atom/cm?(ITRS規(guī)定標(biāo)準(zhǔn))。假如一定要考慮去除Ta和Pt,可行的化學(xué)品是HF/HN()l混合液,但Pt的污染仍然處于可控邊緣。