65nm和45nm以下濕法處理難點(diǎn)以及HKMG濕法

   在技術(shù)節(jié)點(diǎn)從90nm向65nm/45nm轉(zhuǎn)變過程中,由于集成度的變化,對(duì)濕法清洗的主要影響是NiSi中Pt的引人,因?yàn)镻t相對(duì)Ni和別的硅化物金屬較為惰性,W117SIP-1有關(guān)未反應(yīng)NiPt合金的去除也極為挑戰(zhàn),詳細(xì)回顧9.7節(jié).

   15nm以下CMOS已進(jìn)人半導(dǎo)體丁業(yè)的新時(shí)代,一方面是柵厚度縮小,帶來較高柵漏電流,因而柵sO3電介質(zhì)被新的材料替代:另一方面,多晶硅柵極顯示對(duì)總柵介電層厚度有3~5A損耗作用;再者由于硼(B)的滲透.多晶硅也與PM()S的高泛介質(zhì)不兼容i34」c解決這些問題的有效辦法是用金屬柵替代多品硅柵,這些高虍介質(zhì)和金屬材料引入邏輯CM()S的制造,將給濕法清洗帶來很多不便和挑戰(zhàn)。