半導(dǎo)體集成電路是以P型硅材料作為襯底
發(fā)布時間:2017/11/8 12:10:48 訪問次數(shù):1632
半導(dǎo)體集成電路 A82C250
半導(dǎo)體集成電路是以P型硅材料作為襯底,在其上形成晶體管、
二極管、電阻器、電容器等而構(gòu)成的。是雙極型集成電路結(jié)構(gòu)的例子。
MOS集成電路有PMOS集成電路、NMOS集成電路和CMOS
集成電路等。與雙極型集成電路相比,其結(jié)構(gòu)簡單,價格便宜,而且正在進(jìn)行高密度化、高速化的開發(fā)。NMOS集成電路N型溝道的載流子是電子,其遷移率比P型溝道的空穴大,可以在高速下工作,使用比PMOS廣泛。
CMOS集成電路是使P型溝道和N型溝道的兩個晶體管相組合的倒相電路。CMOS集成電路比NMOS集成電路面積性能比大,制造工序多,它具有超低耗電、抗噪聲能力強等特點。
半導(dǎo)體集成電路 A82C250
半導(dǎo)體集成電路是以P型硅材料作為襯底,在其上形成晶體管、
二極管、電阻器、電容器等而構(gòu)成的。是雙極型集成電路結(jié)構(gòu)的例子。
MOS集成電路有PMOS集成電路、NMOS集成電路和CMOS
集成電路等。與雙極型集成電路相比,其結(jié)構(gòu)簡單,價格便宜,而且正在進(jìn)行高密度化、高速化的開發(fā)。NMOS集成電路N型溝道的載流子是電子,其遷移率比P型溝道的空穴大,可以在高速下工作,使用比PMOS廣泛。
CMOS集成電路是使P型溝道和N型溝道的兩個晶體管相組合的倒相電路。CMOS集成電路比NMOS集成電路面積性能比大,制造工序多,它具有超低耗電、抗噪聲能力強等特點。
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