共同離子注人是(c⒍implantation或∞cktai卜implantation)的中文翻譯, OP113ES原意是指用類似于調(diào)雞尾酒的辦法,將除通常所需注人的N或P型離子之外的其他雜質(zhì)離子(如碳,氟,氮等)一起注入所需器件的特定區(qū)域,用來調(diào)節(jié)最終淺結(jié)的深度、輪廓以及改善器件可靠性和延長使用壽命。用共同離子注人的辦法來抑制退火過程中摻雜元素的擴(kuò)散,提高摻雜元素的活化在65nm節(jié)點(diǎn)就已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用,現(xiàn)在已經(jīng)成為一種通行的做法。以PMOS為例,在做源漏極延伸時(shí),碳和氟離子就經(jīng)常被用于共同離子注入,以減少硼元素的擴(kuò)散和提高它的活化率。圖10,9∶盯說明了共同離子注人的作用原理:①通常的硼和磷離子注人,硼和磷靠近射程端缺陷區(qū)域,在退火時(shí)易擴(kuò)散并和間隙原子形成摻雜缺陷簇;②前置非晶態(tài)離子注人讓摻雜元素遠(yuǎn)離射程端缺陷區(qū),但退火過程中回流的間隙原子會(huì)促進(jìn)硼擴(kuò)散;③碳或氟的共同離子注人,會(huì)俘獲間隙硅原子和其他缺陷位,防止硼縱深擴(kuò)散和形成摻雜缺陷簇而較低活化率。圖10.10[1:1的掃描擴(kuò)展電阻式顯微鏡照片清楚地說明了碳的共同注人,大大地減少了硼在溝道下方的橫向和縱向擴(kuò)散。正是囚為這些優(yōu)勢,使得共同離子注人在器件的短溝道效應(yīng)的抑制、漏電流的降低以及工作電流的提高方面都有很大的改善。