在這樣的情況下,OP262GS一種革命性的拋光技術(shù)脫穎而出,固定研磨粒拋光△藝(dAbrasive S1′ICMP,FA STICMI)),成功地將凹陷降低至(100A(約100um寬的溝槽)。然任何東四總有它的兩面性,美中不是的是同定研磨粒拋光的劃痕類缺陷較多另外,新材料的使用總是推動(dòng)(lMP前進(jìn)的極大動(dòng)力之。在15nm及以下的邏輯技術(shù).為了填充越來越小的溝槽,一種低壓CⅥDl∶藝形成的氧化硅HARP(higl`aspect ratioplasma)代替了原先的HIDP(high density plasma)。相比于HI)I),HARP薄膜具有更高的覆蓋層(owrburden),這無疑增加了s'I′ICMP的難度,見圖11,2。結(jié)合Ceria Based Slurry

和FA⒏ΓI CMP的優(yōu)點(diǎn),叮以有效地解決此問題,見圖11.3。也就是,利用Ceria BasedSlurry高平坦效率的優(yōu)點(diǎn),進(jìn)行第-步的粗拋光.磨掉HARP較高的覆蓋層,然后,利用⒏ΓI CMP低凹陷的優(yōu)點(diǎn).進(jìn)行第二步的細(xì)拋光。但是用此方法劃痕類缺陷是-個(gè)重要的問題。根據(jù)設(shè)計(jì)的綜合要求和成本的考慮,也可以選擇silica Based slurry+FΛ sTI CMP或者純粹Ceria Based slurry或者slica―t)cria Based Slurry來作為HARI冫S'I′lCMP的解決方法。后兩者仍為主流方法。