MOs直流特性(DC)町以用開啟電壓(Thrcshold v°11age.Vt).驅(qū)動電流(I)rivingcurmn1,Id)和漏電流(su⒌thrcshold leakage,I°ff)來描述。邏輯電路所使用的M()S操作在飽和區(qū)域.要具備快速開啟電壓(sub-thresh°l(l swing)、RTL8212F-GR大驅(qū)動電流和低漏電流箐特忤,然而在某些模擬電路的M()S則偏重于在線性區(qū)域操作,l/xl此反而不能要求好的subthreshold sing。

開啟電壓(Vl)是定義在MΘS發(fā)生強(qiáng)反轉(zhuǎn)的位置。以NM()S為例,量測時一般將源極和襯底接地(V、=yˇ"=(亠NI)),Vl量測時漏極接在一個固定的小電壓(y�！�0,1v)。在柵極上逐漸加電壓并量測漏極端的電流。當(dāng)電流大于某一個沒定值(例如.Ιd)0,1`￡A/um)H寸加在柵極上的電壓即是Vl。Vl有日刂∷岜用Gm Maximum的量測方法定義,8m是指漏極電流隨柵極電壓的變化量,也就是Ⅰd―V。圖的斜率(見圖12,l)。8m在整個量測l×線是工畝在變化的:取卩m的最大值所在的電壓在幾一Vg圖上作一切線,這條線和Vg的交點(diǎn)即是V】。

    Sul,threshold swing則定義為在V1量測時在Jd―yˇ圖斜率的導(dǎo)數(shù),也就是說越低的swing值,MOS開啟速度越快。驅(qū)動電流(Jd)定義為M()s漏極和柵極上加操作電壓所得到的電流,而漏電流則是指是把柵極電壓設(shè)為O.漏極上加操作電壓所得到的M(E關(guān)斷狀態(tài)時的

電流。

   除了直流特性,MOS的交流特性也相當(dāng)重要。邏輯電路所關(guān)注的是CM(B運(yùn)作的速度,可以用環(huán)形振蕩電路(Ring Oscillator,RO)來評估。RO速度越快,性能越好。在AC層面上考慮MOS的參數(shù),除了提升Ⅰd對RO的速度有一定幫助外,對有效降低電路的寄生電容也會有相當(dāng)大的幫助。寄生電容包含source和drain junction的電容,M()S結(jié)構(gòu)內(nèi)包含的電容和多重連接導(dǎo)線的電容等。