對準、套刻精度
發(fā)布時間:2017/10/28 10:14:50 訪問次數(shù):3705
對準(a1ignment)指的是層與層之間的套準。一般來講,層與層之間的套刻(ovcd刂)精度需要在硅片關(guān)鍵尺寸(最小尺寸)25%~30%左右。RTL8212F-GR在這里將討論以下幾個方面:套刻流程、套刻的參量及方程、套刻記號、與套刻相關(guān)的設(shè)備和技術(shù)問題,以及影響套刻精度的工藝。
套刻流程分為第一層(或者前層)對準記號(alignme血t mark)制作、對準、對準解算、光刻機補值、曝光、曝光后套刻精度測量以及計算下一輪對準補值,如圖7.40所示。套刻的目的是將硅片上的坐標與硅片平臺(也就是光刻機的坐標)最大限度地重合在一起。對于線性
的部分,有平移(Tx,TY)、圍繞垂直軸(Z)、旋轉(zhuǎn)(R)、放大率(M)四個參量?梢詫⒐杵標系(Xw,Yw)與光刻機坐標系(XM,yM)建立以下聯(lián)系.
對準(a1ignment)指的是層與層之間的套準。一般來講,層與層之間的套刻(ovcd刂)精度需要在硅片關(guān)鍵尺寸(最小尺寸)25%~30%左右。RTL8212F-GR在這里將討論以下幾個方面:套刻流程、套刻的參量及方程、套刻記號、與套刻相關(guān)的設(shè)備和技術(shù)問題,以及影響套刻精度的工藝。
套刻流程分為第一層(或者前層)對準記號(alignme血t mark)制作、對準、對準解算、光刻機補值、曝光、曝光后套刻精度測量以及計算下一輪對準補值,如圖7.40所示。套刻的目的是將硅片上的坐標與硅片平臺(也就是光刻機的坐標)最大限度地重合在一起。對于線性
的部分,有平移(Tx,TY)、圍繞垂直軸(Z)、旋轉(zhuǎn)(R)、放大率(M)四個參量?梢詫⒐杵標系(Xw,Yw)與光刻機坐標系(XM,yM)建立以下聯(lián)系.
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