除了在標準的刻蝕機里的原位灰化,異地灰化「25J是必不可少的,主要用來完全去除干法刻蝕和離子注人P87C51RB+5A后的光刻膠及其殘余物。圖8.51表示的是兩個主流灰化機型的比較:I'am/Gamma和Matts°n。在⒛08年,這兩種灰化機占據(jù)著干法去膠領域約46%的市場份額。這當中,I'AM以23.3%的市場份額攀升到F第一位。它們是ICP型反應器,使用pinˉup/down功能控制晶圓溫度。交錯電感耦合等離子(I2CP)源是Novcllus所擁有的專利技術,兩個相互交織的線圈與傳統(tǒng)的ICP源一起可以解決很多負面問題,并可以提供更寬的工藝窗口。到目前為止,灰化化學被限制于02、N2、H3、C「!、CH1和發(fā)泡氣體(FG)。從后端I藝低虍損傷的觀點來看,CHl已被證明優(yōu)于其他灰化氣體。氧等離子中的CHt可以將光刻膠中的氫提取出來,產(chǎn)生HF。這個特性可用來除去含有堅硬的光刻膠層的s或者Si()。發(fā)泡氣體是由N2+4%H:組成,主要用于高劑量離子注人(HDIs)后的干法去膠。高劑量離子注人迫使光刻膠中的H和OH組合,最終形成碳化的殼層,叫做硬皮。它也含有 一些無機元素,比如注人的As,P或者是B。如果用常規(guī)的氧氣進行灰化,在某些硬皮「x域可以觀察到泡狀缺陷。因此,提議使用發(fā)泡氣體與光刻膠反應,生成含有可揮發(fā)的有機化合物的胺,它的H2元素與注人的離子反應,形成可揮發(fā)的化合物。在45nm I藝中,為了無殘余物,高劑量離子注人后采用CH4和發(fā)泡氣體去膠。