圖14.12給出了在OBIRCH熱點(diǎn)域處找到的缺陷,其中:圖11.12(a)熱點(diǎn)位置的TEM圖片, P89LPC935FA下層銅金屬與Via的界面處缺陷很明顯,連接不良;下層銅的保護(hù)層氮化硅也有破洞;圖11.12(b)放大的TEM圖片,更清楚地看出Via與下層銅的界面接觸不好。

   芯片IO(×輸入輸出)ESD保護(hù)電路失效案例:對(duì)于芯片失效分析,器件失效常常采用背面的PEM來診斷失效點(diǎn);但并不是所有的器件失效都能通過PEM(CCD)來診斷出失效的位置;當(dāng)器件失效表現(xiàn)為歐姆特性時(shí),也常常利用背面的OBIR()H雷射技術(shù)或PEM(MCT)來診斷,前面已經(jīng)敘述PEM(MC'Γ)在前段器件失效的應(yīng)用;這里介紹ΘBIRCH雷射技術(shù)應(yīng)用在90nm芯片器件失效的例子。下面的案例是我們公司白己設(shè)計(jì)的90nm IO芯片,在評(píng)估ESD保護(hù)電路測(cè)試時(shí)失效,表現(xiàn)為Pin2在ESD HBM(人體模式)在2.5kV時(shí)漏電流超標(biāo)失效,規(guī)范要求1kV以上;圖⒈1.13顯示ΘBIR(lH雷射技術(shù)診斷出的失效位置,

熱點(diǎn)在Pin2自身的ESD保護(hù)電路內(nèi);根據(jù)熱點(diǎn)的位置,按照P「A程序,最后發(fā)現(xiàn)在熱點(diǎn)區(qū)域,E⒏)的保護(hù)電路燒毀,兩個(gè)PN二極管之間橫向交界處擊穿,C冫uard Ring都被燒毀(見圖14.14)。