隨著半導(dǎo)體制程的不斷發(fā)展,越來越多造成器件失效的原因已經(jīng)不再是外來的雜質(zhì)微粒或可見制程缺陷,而是那些不容易被發(fā)現(xiàn)的微弱的內(nèi)在缺陷。 TL5001CDR如柵氧化層的擊穿、襯底缺陷、離子注人計(jì)量些微或統(tǒng)計(jì)意義⒈的波動等。傳統(tǒng)失效分析方法,如芯片級失效位加破壞性的逐層剝離、B電爪的襯度定位,SEM觀察、「IB定點(diǎn)切割.甚至平面TEM分 析等,也無法有效找到失效機(jī)理,發(fā)現(xiàn)失效原L+xl。納米探針是一種新發(fā)展起來的先進(jìn)的失效分析和探測儀器,通過納米級別探針測量,可以探測芯片內(nèi)部微小的結(jié)構(gòu),使得失效定位邁入F晶體管級。在現(xiàn)代失效分析實(shí)驗(yàn)室・納米探針已成為深亞微米制程的產(chǎn)品級失效分析必各的日常分析手段。