實(shí)現(xiàn)外延材料均勻沉積的關(guān)鍵是實(shí)現(xiàn)反應(yīng)腔內(nèi)均勻合理的流場(chǎng)和溫場(chǎng),并高效利用反應(yīng)源。MOCVD反應(yīng)室結(jié)構(gòu),必須圍繞這個(gè)核心,實(shí)現(xiàn)如下幾個(gè)關(guān)鍵的功能特點(diǎn):RA07N4452M第一,要在反應(yīng)室進(jìn)氣部分及反應(yīng)室內(nèi)部實(shí)現(xiàn)氣體層流流動(dòng)、避免或有效限制渦流。在高溫和特殊氣氛等復(fù)雜的反應(yīng)環(huán)境中,層流有利于氣源的均勻分布和材料的可控生長,而渦流會(huì)影響到外延層的厚度、組分和摻雜均勻性,更進(jìn)一步,它會(huì)影響外延層界面陡峭程度、本底雜質(zhì)、表面形貌,對(duì)整個(gè)LED的生長和電學(xué)及光學(xué)特性產(chǎn)生不利影響。這類問題可以從反應(yīng)腔機(jī)械結(jié)構(gòu)、形狀尺寸以及熱場(chǎng)兩方面考慮如何優(yōu)化,以便使流體暢通,并抑制渦旋。                     '

   第二,要實(shí)現(xiàn)良好的襯底溫度均勻性,這是獲得均勻外延層的前提。襯底的溫度均勻性是由基座的溫度均勻性來保證的。為使基座溫度分布均勻,可以采用多區(qū)加熱絲設(shè)計(jì),并配合采用旋轉(zhuǎn)基座等技術(shù)設(shè)計(jì),同時(shí)也改善反應(yīng)氣源的分布均勻性。當(dāng)生長異質(zhì)結(jié)構(gòu)時(shí),有時(shí)需要在不同溫度下進(jìn)行生長,這時(shí)不僅需要保持在不同溫度下的溫度均勻性不變,還需要基座的熱慣量小,以滿足快速改變溫度的需要。

   第三,優(yōu)化氣流分布,從而彌補(bǔ)源材料因預(yù)反應(yīng)及沿程耗盡所造成的問題,以便在整個(gè)反應(yīng)腔內(nèi)各個(gè)反應(yīng)區(qū)域都能實(shí)現(xiàn)外延層均勻生長,提高反應(yīng)氣源的效率和薄膜沉積的均勻性。