基于以上分析,在BⅤ―sMPDJ6CA與LD0芯片之間增加一個(gè)二極管,來(lái)提高后級(jí)回路的耐壓水平,圖4.131所示為增加二極管后PCB實(shí)物圖片。 KA278RA05CTU

   增加二極管后(通流為3A,反向耐壓硐Ⅴ的肖特基二極管),通過(guò)實(shí)際測(cè)試,該GPS口能通過(guò)5次共模+3kA的s/⒛u的浪涌電流測(cè)試.

   但是,在進(jìn)行負(fù)浪涌電流測(cè)試時(shí),第一次浪涌就導(dǎo)致LDO芯片損壞。繼續(xù)分析可知,進(jìn)行正向浪涌能通過(guò)測(cè)試,這說(shuō)明增加了單向二極管是有效的,而當(dāng)進(jìn)行反向浪涌電流測(cè)試時(shí),LDO芯片前端增加的二極管并不能阻擋浪涌電流進(jìn)人LDO,如圖4,132所示。同時(shí),圖4.132中的TⅤS管是雙向保護(hù)的器件,兩個(gè)方向都是利用TⅤS反向雪崩擊穿的原理進(jìn)行工作的,雖然其雪崩擊穿電壓只有6Ⅴ,但是,當(dāng)浪涌電流經(jīng)過(guò)時(shí),殘壓會(huì)高于6Ⅴ,并大于LD0所能承受的現(xiàn)值。因此,LD0芯片再一次損壞。

   圖4132 負(fù)向浪涌損壞路徑原理圖

   綜上所述,如果有一個(gè)器件能代替原理圖4。I~12中的TⅤS管,并能獲得更加低的殘壓,LD0就能得到保護(hù)�？紤]到單向TⅤs管利用了正向二極管導(dǎo)通時(shí)極低的電壓值,于是,選擇了單向的TⅤs代替原來(lái)原理圖4.132中的雙向TⅤS管,更新后的原理圖如圖4,133所示。

單向TⅤS管的反向開(kāi)啟電壓只有約0,7Ⅴ,可以預(yù)知,更改后的浪涌電流路徑也如圖4.133中箭頭所示。

   完成電路及PCB修改后,通過(guò)再次進(jìn)行浪涌測(cè)試驗(yàn)證,疋向、負(fù)向浪涌均能通過(guò)共模3kA的測(cè)試。