輻射電磁場抗擾度測試方法
發(fā)布時間:2019/1/17 20:19:24 訪問次數(shù):1484
輻射電磁場抗擾度測試方法JM1aN-TMP-DC24V
測試時要用1kHz正弦波進行幅度調(diào)制,調(diào)制深度為⒛%,調(diào)制)。將來有可能再增加一項鍵控調(diào)頻(歐共體標(biāo)準(zhǔn)已采用)` 參見圖B9(在早期的測試標(biāo)準(zhǔn)中不需要調(diào)制頻率為⒛0Hz,占空比為⒈1。
(a)未調(diào)制的射頻信號t/I,P=28V[Fms=10v
(b)調(diào)制的射頻信號
圖B9 信號發(fā)生器的輸出電壓波形
測試在電波暗室中進行(圖B10所示),用監(jiān)視器監(jiān)視試品的丁作情況(或從試品引出可以說明試品工作狀態(tài)的信號至測定室,由專門儀器子以判定) 咯室內(nèi)有天線(包括天線的升降塔)、轉(zhuǎn)臺、試品及監(jiān)視器。I作人員、測定試品跬能的儀器 仿號發(fā)生器、功豐汁和汁算機等設(shè)各在測定室里。高頻功率放大器則放在功放室里:測試中、對試品妁布線非常i悼究.II i己錄在案.以便必要時重現(xiàn)測試結(jié)果。
輻射電磁場抗擾度測試方法JM1aN-TMP-DC24V
測試時要用1kHz正弦波進行幅度調(diào)制,調(diào)制深度為⒛%,調(diào)制)。將來有可能再增加一項鍵控調(diào)頻(歐共體標(biāo)準(zhǔn)已采用)` 參見圖B9(在早期的測試標(biāo)準(zhǔn)中不需要調(diào)制頻率為⒛0Hz,占空比為⒈1。
(a)未調(diào)制的射頻信號t/I,P=28V[Fms=10v
(b)調(diào)制的射頻信號
圖B9 信號發(fā)生器的輸出電壓波形
測試在電波暗室中進行(圖B10所示),用監(jiān)視器監(jiān)視試品的丁作情況(或從試品引出可以說明試品工作狀態(tài)的信號至測定室,由專門儀器子以判定) 咯室內(nèi)有天線(包括天線的升降塔)、轉(zhuǎn)臺、試品及監(jiān)視器。I作人員、測定試品跬能的儀器 仿號發(fā)生器、功豐汁和汁算機等設(shè)各在測定室里。高頻功率放大器則放在功放室里:測試中、對試品妁布線非常i悼究.II i己錄在案.以便必要時重現(xiàn)測試結(jié)果。
熱門點擊
- PWM信號產(chǎn)生芯片采用KA3525A
- MLCT輻射躍遷概率取決于重金屬的軌道自旋耦
- LDO芯片前端增加的二極管并不能阻擋浪涌電流
- 本測試應(yīng)按ISO 1I452-9要求的步驟進
- 選用器件時一定要注意器件的特性
- 高速時鐘驅(qū)動芯片的負(fù)載通常較重
- 電壓跌落、短時中斷和電壓漸變的抗擾度測試目的
- 芯片電流引腳上磁珠與去耦電容的位置
- 輻射電磁場抗擾度測試方法
- FDS6982S碳原子雜化前后的電子排布
推薦技術(shù)資料
- 自制智能型ICL7135
- 表頭使ff11CL7135作為ADC,ICL7135是... [詳細]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究