應(yīng)器的幾何尺寸比(半徑/高度)。通常相對(duì)于線圈中間,沉積功率會(huì)在偏離軸心的位置產(chǎn)生最大值。HAT2189WP-EL-E然而,離子的峰值在軸心~上,并迅速衰減。偏離軸心的最大值都小于預(yù)期的這些數(shù)值的最高值。電子溫度的分布通常遵循沉積功率的分布,它從石英窗下的最大值迅速地下降,在等離子體外到達(dá)更低的Te。除了設(shè)計(jì)為單圈線圈在石英窗口下電子溫度峰值的環(huán)形變窄以外,單圈線圈和鐘形線圈的電子溫度與平面三圈線圈的是相類似的。鐘形線圈的OJ的密度分布與三圈線圈是相類似的,而單圈線圈下降了10%。采用鐘形線圈設(shè)計(jì)的OJ密度峰值更接近晶圓表面。

   Zhang(⒛02年)「nJ應(yīng)用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)就四個(gè)操控輸人與基于2D MPRES試驗(yàn)設(shè)計(jì)的壓縮 了的⒈D刻蝕速率之間的關(guān)系進(jìn)行了驗(yàn)證。圖8.9顯示的是前兩個(gè)的“得分”,它們是從小 波壓縮變化及ICP功率與流速的函數(shù)得來(lái)的,腔內(nèi)壓力定為15mT。rr,RF偏置幅度為 500V。第一個(gè)得分表示最低水平的近似刻蝕速率分布變化,它反映的是刻蝕速率分布的最 低頻率。第二個(gè)得分捕獲到最低水平下刻蝕速率分布的細(xì)節(jié),它們都顯示出非線性。對(duì)于 固定的ICP功率,當(dāng)流速變化時(shí),可以注意到第一個(gè)得分的單調(diào)變化。第二個(gè)得分也有類 似的趨勢(shì),指出刻蝕速率隨氣體流速上升而減少。這可以解釋為隨著流速的增加,離子與中 性粒子間的碰撞增強(qiáng)了,并且離子在穿越鞘時(shí)損失了能量。罔定流速,ICP功率對(duì)于兩個(gè)得 分都形成了山形響應(yīng)面。這可以解釋成ICP功率和RF偏置的協(xié)同效應(yīng),見公式(83)c當(dāng) RF偏置減小,“山”也將減小,囚為在低RF偏置、高ICP功率時(shí),刻蝕速率被限制在離子反 應(yīng)區(qū)。

   空問(wèn)信息的直接模型驗(yàn)證不可避免地導(dǎo)致高維輸出,從而降低了計(jì)算效率和模型精度。一個(gè)有希望實(shí)現(xiàn)空間變量建模的解決方案是尋找一個(gè)盡可能代表高維空間的低維子空問(wèn)。也就是將少數(shù)壓縮了的變量,用來(lái)代表沿晶圓半徑(2D)或者整個(gè)晶圓(3D)分布的大量原始參數(shù),然后將少數(shù)壓縮變量與各種輸入,比如壓力、ICP功率、RF偏置和氣體流速相關(guān)聯(lián)。在現(xiàn)有的減少維度的方法中,PCA和小波壓縮被證明為⒈D/2D數(shù)據(jù)壓縮和信息提取技術(shù),2D數(shù)據(jù)/圖像壓縮技術(shù)對(duì)于不均勻功率沉積的非對(duì)稱刻蝕速率抽氣口、進(jìn)氣口的模擬是至關(guān)重要的。