觸發(fā)器的存在和布線增加了信號(hào)的電容負(fù)載
發(fā)布時(shí)間:2019/2/1 10:56:21 訪問(wèn)次數(shù):919
使用掃描測(cè)試有兩種類型的不利影響,即掃描硬件增加的芯片尺寸以及降低了信號(hào)速度。觸發(fā)器的存在和布線增加了信號(hào)的電容負(fù)載,時(shí)鐘速度可能會(huì)有5%到1O%的損失.應(yīng)該經(jīng)由良好的布局和布線來(lái)控制這兩個(gè)開(kāi)銷。根據(jù)成本的控制,生的開(kāi)銷控制在10∷以
下是可能的。 KA34063A內(nèi)建自測(cè)試(build in self tcst,BIsT)字面的意義來(lái)說(shuō)就是將測(cè)試的矢量生成(tcstpattem geneltator)和輸出響應(yīng)分析(output responsc analyzer)的結(jié)果判斷電路設(shè)計(jì)內(nèi)建在芯片之中。芯片內(nèi)建自測(cè)試的好處有減小測(cè)試和維護(hù)代價(jià),較低的測(cè)試生成代價(jià),減小測(cè)試矢量的存儲(chǔ)維護(hù),使用較簡(jiǎn)單和便宜的ATE,可并行測(cè)試許多單元,縮短測(cè)試應(yīng)用時(shí)間,可在功能系統(tǒng)速度下測(cè)試,等等。如圖18.7所示為內(nèi)建自測(cè)試與測(cè)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。
內(nèi)建自測(cè)試測(cè)試矢量/±成的方式有以下幾種:
(1)第一種方法是將ATPG產(chǎn)生的測(cè)試矢量即刻儲(chǔ)存在芯片內(nèi)部的ROM中。定位測(cè)試矢量的數(shù)量相當(dāng)大,會(huì)占用很大的芯片面積。
(2)第二種方法使用線性反饋的移位寄存器(linear fcedback shift register,LFSR)產(chǎn)生偽隨機(jī)(pscud⒍landom)測(cè)試矢董,這種方法產(chǎn)生的設(shè)計(jì)需求最少,是很好的解決方案。
(3)第三種方法是使用計(jì)數(shù)器產(chǎn)生一個(gè)窮舉測(cè)試矢量序列,但是這會(huì)耗費(fèi)太多的測(cè)試時(shí)問(wèn)c
(l)第四種方法是I'FSR+ROM結(jié)合,是最有效的方法之一。首先采用LFSR作為原始測(cè)試模式,然后采用ΛTPG程序生成I'FsR漏失故障的附加測(cè)試矢量,附加測(cè)試矢量存儲(chǔ)于芯片內(nèi)ROM中,或嵌人到I'FSR的輸出或掃描鏈中。 ^在儲(chǔ)存器的測(cè)試中,BIST設(shè)計(jì)測(cè)試是比較容易達(dá)成的。例如,儲(chǔ)存器的掃描圖形(sca n pattcrn)、行進(jìn)圖形(march pattern)的地址信號(hào)產(chǎn)生是規(guī)則而且重復(fù)的,從0逐一累加到最大地址,或從最大地址逐一遞減到0,在電路的設(shè)計(jì)上可以用計(jì)數(shù)器簡(jiǎn)單達(dá)成。內(nèi)建儲(chǔ)存器的%C芯片的測(cè)試都會(huì)采用這種測(cè)試設(shè)計(jì)(mem。ry BIST,MBIST)。
使用掃描測(cè)試有兩種類型的不利影響,即掃描硬件增加的芯片尺寸以及降低了信號(hào)速度。觸發(fā)器的存在和布線增加了信號(hào)的電容負(fù)載,時(shí)鐘速度可能會(huì)有5%到1O%的損失.應(yīng)該經(jīng)由良好的布局和布線來(lái)控制這兩個(gè)開(kāi)銷。根據(jù)成本的控制,生的開(kāi)銷控制在10∷以
下是可能的。 KA34063A內(nèi)建自測(cè)試(build in self tcst,BIsT)字面的意義來(lái)說(shuō)就是將測(cè)試的矢量生成(tcstpattem geneltator)和輸出響應(yīng)分析(output responsc analyzer)的結(jié)果判斷電路設(shè)計(jì)內(nèi)建在芯片之中。芯片內(nèi)建自測(cè)試的好處有減小測(cè)試和維護(hù)代價(jià),較低的測(cè)試生成代價(jià),減小測(cè)試矢量的存儲(chǔ)維護(hù),使用較簡(jiǎn)單和便宜的ATE,可并行測(cè)試許多單元,縮短測(cè)試應(yīng)用時(shí)間,可在功能系統(tǒng)速度下測(cè)試,等等。如圖18.7所示為內(nèi)建自測(cè)試與測(cè)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。
內(nèi)建自測(cè)試測(cè)試矢量/±成的方式有以下幾種:
(1)第一種方法是將ATPG產(chǎn)生的測(cè)試矢量即刻儲(chǔ)存在芯片內(nèi)部的ROM中。定位測(cè)試矢量的數(shù)量相當(dāng)大,會(huì)占用很大的芯片面積。
(2)第二種方法使用線性反饋的移位寄存器(linear fcedback shift register,LFSR)產(chǎn)生偽隨機(jī)(pscud⒍landom)測(cè)試矢董,這種方法產(chǎn)生的設(shè)計(jì)需求最少,是很好的解決方案。
(3)第三種方法是使用計(jì)數(shù)器產(chǎn)生一個(gè)窮舉測(cè)試矢量序列,但是這會(huì)耗費(fèi)太多的測(cè)試時(shí)問(wèn)c
(l)第四種方法是I'FSR+ROM結(jié)合,是最有效的方法之一。首先采用LFSR作為原始測(cè)試模式,然后采用ΛTPG程序生成I'FsR漏失故障的附加測(cè)試矢量,附加測(cè)試矢量存儲(chǔ)于芯片內(nèi)ROM中,或嵌人到I'FSR的輸出或掃描鏈中。 ^在儲(chǔ)存器的測(cè)試中,BIST設(shè)計(jì)測(cè)試是比較容易達(dá)成的。例如,儲(chǔ)存器的掃描圖形(sca n pattcrn)、行進(jìn)圖形(march pattern)的地址信號(hào)產(chǎn)生是規(guī)則而且重復(fù)的,從0逐一累加到最大地址,或從最大地址逐一遞減到0,在電路的設(shè)計(jì)上可以用計(jì)數(shù)器簡(jiǎn)單達(dá)成。內(nèi)建儲(chǔ)存器的%C芯片的測(cè)試都會(huì)采用這種測(cè)試設(shè)計(jì)(mem。ry BIST,MBIST)。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 折射率和消光系數(shù)是表征材料光學(xué)特性的物理量
- NMOS器件的電子遷移率
- 較早公開(kāi)使用的SC1濃度一般較高
- 直流電流與直流電壓共用刻度線
- 光敏電阻器的參數(shù)很多
- 電子束曝光的優(yōu)點(diǎn)是分辨率較高
- 晶圓的邊緣在半導(dǎo)體制造中成為良率限制的主要來(lái)
- 鐵氧體磁珠的等效電路為由電感L和電阻R組成的
- 輸入引腳終端連接電阻接地或供電電源可以減少M(fèi)
- 前柵極工藝路線主要采用MOCVD沉積HsiO
推薦技術(shù)資料
- 循線機(jī)器人是機(jī)器人入門(mén)和
- 循線機(jī)器人是機(jī)器人入門(mén)和比賽最常用的控制方式,E48S... [詳細(xì)]